电子级磷酸:Rasa 台湾第二工厂与新货源确认要点

日方供应商通知你的工厂:下一批磷酸可以由台湾、韩国或美国的新工厂供货。产品名称不变,标称纯度也不变。真正要问的是,这批酸在你的热槽里表现是否一致,以及为此要做多少验证工作。
半导体用磷酸是一种刻蚀液,能去除氮化硅(Si3N4),同时几乎不动氧化硅(SiO2)。2026年9月30日,日本的 Rasa Industries(自称在该产品上全球份额第一)宣布,将在台湾地区台中建设第二工厂,投资约38亿新台币(约188亿日元,约合1.19亿美元)。
本文依次说明刻蚀原理、电子级与工业级的区别,以及 Rasa 和其他供应商在哪里生产。随后讨论买方在批准新货源前应确认什么。文末有确认清单、对日方的提问清单和询问邮件范例。
目录
热磷酸在晶圆厂里做什么
前道工序反复做同一个循环:成膜、图形化、刻蚀、清洗。电子级磷酸用在湿法刻蚀,也就是用液体把薄膜溶解掉。Rasa 把自家产品定位为逻辑和存储(NAND、DRAM)器件前道湿法刻蚀用的药液。
氮化硅又硬又耐化学腐蚀,工艺流程中常用它做保护下层的掩模,或做绝缘、保护膜。氮化硅完成使命后,典型的去除方式是把晶圆浸入加热到约160°C 的磷酸中。图1展示了处理前后的变化。
目标是只去除氮化硅,把下面的氧化硅几乎完整保留下来。
大幅简化的示意图。膜厚和形状因工艺而异,氧化硅也会被少量刻蚀。
干法刻蚀和湿法刻蚀是这个循环里两个不同的步骤。图2标出了磷酸所处的位置,方便你和不在晶圆厂工作的采购、物流同事沟通。
成膜、图形化、刻蚀、清洗,这个循环要重复几十次。磷酸负责刻蚀中的一部分。
工序顺序和次数因器件而异。编辑部根据 SCREEN 的工艺概述简化而成。
选择比:氮化硅速率与氧化硅速率之比
选择比是氮化硅刻蚀速率与氧化硅刻蚀速率之比。例如选择比为 50:1 时,槽液每去除 50 nm 氮化硅,只去除 1 nm 氧化硅。公开数据差别很大,因为它取决于膜层、温度和槽液状态。
下面的例子都来自特定的实验条件,只用来了解大致情况,不是目标值,也不是规格。
- 约 24:1 升至 50:1 以上:一份美国专利描述的约165°C 工艺中,新配槽液与处理约1,000片氮化硅晶圆后的同一槽液之比较
- 30:1:85%磷酸、165°C,用于28 nm 侧墙(spacer)去除(STMicroelectronics,2015年)
- 100:1 以上:为3D NAND 调好的热槽(东京电子 Tokyo Electron,2015年)
新槽与旧槽的差距是要记住的重点。你买的酸决定起始状态,之后的表现取决于设备和槽液管理。
硅浓度:很窄的工作窗口
溶解的硅会抑制氧化硅刻蚀:槽液中硅越多,氧化硅刻蚀速率越低。刻蚀氮化硅会把含硅副产物带进酸里,槽液通常还会预先加入二氧化硅(预掺硅)。所以用过一段时间的槽液,选择性可能比新槽液更高。
同样是这些硅,也带来主要风险。超过临界浓度后,硅会以二氧化硅的形式析出。一份美国专利给出的饱和浓度在165°C 下约为 120 ppm,并称析出的二氧化硅是影响良率的主要颗粒来源。
图3展示了这个取舍。
在硅开始沉积之前,硅有利于提高选择性。槽液必须保持在两个界限之间。
图中不给数值,因为窗口取决于设备、温度、膜层和药液配方,由你的工艺负责人确定。
设备厂商都围绕这个窗口做设计。芝浦机电(Shibaura Mechatronics)称,其 SC300-HT 单片式设备把酸保持在160°C 以上,并控制硅浓度,以获得高选择性。专利中还描述了补加新的热酸,把硅含量调回目标范围,以及补加去离子水来补偿蒸发。
因此,一份漂亮的分析证书(COA)并不能说明问题。酸在加热后、在你的设备里反复使用,仍要表现稳定,所以新货源需要在实际工艺中评价。
3D NAND:从侧面去除氮化硅
3D NAND 的叠层由氧化硅和氮化硅交替组成,氮化硅之后要从侧向去除。刻蚀必须在叠层的顶部和底部、以及整片晶圆内均匀地去掉氮化硅,同时不伤及氧化硅。Entegris 在2018年的白皮书中,把这一步称为深宽比达到约50:1后的湿法刻蚀难题。
按该白皮书的说法,96层以下使用约160°C 的热磷酸,96层及以上则需要专门配制的药液来改善工艺裕量。Entegris 本身销售配方型药液,所以请把它当作供应商的观点,并核实你自己的节点用什么。
二氧化硅在这里同样是问题:专利描述了胶体二氧化硅在裸露的氧化硅上生长,妨碍氮化硅去除。东京电子的研究人员把晶圆内和晶圆间的不均匀性主要归因于槽内的温差。
所以首先要判断,你买的是普通电子级磷酸,还是配方型刻蚀液。两者要问的问题不一样。
工业级与电子级:含量不等于纯度

含量(日语 ganryo)是液体中 H3PO4 的占比。即使是工业级磷酸,常见含量也在85%左右,所以含量高并不说明适合晶圆厂使用。半导体用途更严格的问题是:铁、钠等金属含量有多低,颗粒有多少。
图4用两家日本厂商公开的例子比较了两个等级。
两者都是 H3PO4,但买方检查的项目不同,管控的精细程度也相差很大。
数值是 Rasa(工业级)和磷化学工业 Rin Kagaku Kogyo(EL-S)公布的单个产品规格示例,并非行业通用限值。
从 ppm 到 ppt
电子级磷酸公开的数据有限。磷化学工业公布了最高等级 EL-S 的颗粒限值(0.2 µm 及以上 200 个/mL,0.3 µm 及以上 70 个/mL,0.5 µm 及以上 20 个/mL),其他问题请向其销售部门咨询。真正起作用的,是你自己晶圆厂的规格和供应商的受控规格。
SEMI C36(现行版本 C36-1121)是 SEMI 针对半导体制造用磷酸等级制定的规格,其测试方法须满足 SEMI C1 的验证要求。该文件需付费购买,所以本文不转载其限值。请问清楚供应商的产品符合哪个等级、哪个版本(如果有的话)。
国内标准方面,对应的是 GB/T 28159《电子级磷酸》,由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(TC203)归口,起草单位包括湖北兴发化工集团等国内磷化工企业。2011版已于2026年3月1日废止,由 GB/T 28159-2025 全部代替。该标准与 SEMI C36 的等级、限值如何对应,我们没有逐项核对,请以标准全文和供应商规格为准。
要了解管控的方向,可以看另一种药液。三菱瓦斯化学引用了2022年版国际器件与系统路线图(IRDS)中30%过氧化氢(供应商行)的要求。
该路线图把每种金属的限值从2021年的10 ppt(万亿分之一)收紧到2024年起的5 ppt,把20 nm 颗粒从500个/mL 收紧到2027年的200个/mL。这些都不是磷酸的限值。
测量方法也是规格的一部分。85%半导体级磷酸中的痕量金属可以用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定。Agilent 的应用说明报告了 ppt 级的检出限,而且是在酸稀释约100倍之后测得的。只写“低于 X”的结果,在不知道各实验室报告限的情况下意义不大。
热法与湿法
日文资料用“乾式法”(kanshiki-ho)来称呼的,就是国内所说的热法磷酸:先燃烧黄磷得到五氧化二磷,再与水反应。“湿式法”(shisshiki-ho)即湿法磷酸,用硫酸等酸分解磷矿。
Rasa 称其采用经黄磷的路线,磷化学工业称其电子级产品用杂质较少的热法(乾式法)制造。湿法磷酸的起始杂质来自磷矿,更多,但可以进一步提纯,所以仅凭工艺路线不能判定产品合格与否。不过还是要把工艺路线记录下来,万一将来变更,你需要知道。
Rasa 宣布了什么
Rasa Industries 创立于1913年,生产磷化学品、化合物半导体用高纯材料,以及破碎和隧道机械。截至2026年3月的财年(日方称“2026年3月期”)销售额为477亿日元(约合3.03亿美元),其中高纯磷酸为168亿日元,占35.2%。全球份额第一是 Rasa 自己的说法,我们没有独立核实。
图5汇总了这次发布。本文中所有美元金额,都是我们按图注所列汇率做的粗略换算。日元金额均指日元,不是人民币。
现有工厂的扩能已在2026年4月投产。新工厂是下一步。
来源:Rasa 2026年9月30日的公告及截至2026年3月财年的业绩说明资料。日元金额采用 Rasa 的汇率:1新台币=4.94日元(2026年9月30日)。美元金额是我们按1美元=31.89新台币(同日的中间价)换算的,对应约157.5日元=1美元。
建厂主体是 Rasa Technology Taiwan Ltd.(RTT,理盛精密科技),它是 Rasa 全资持有的子公司,2003年12月设立,位于台中市梧栖区。
第二工厂将建在与第一工厂相同的园区——台中港科技产业园区(臺中港科技產業園區)。Rasa 将以自有资金和借款筹集资金。
Rasa 给出了三条投资理由:
- 台湾是全球领先的半导体生产基地之一,以先进逻辑为中心。
- 生成式 AI 和数据中心预计会继续扩大半导体需求。
- 台湾对更多高纯磷酸的需求正在增强。
RTT 的销售额从2020年的12.32亿新台币增长到2025年的25.92亿新台币。这个数字包含价格和产品结构的影响,不要当作销量的增长。Rasa 还预计,对截至2027年3月的财年业绩影响轻微,所以这座工厂并不是近期的供应事件。
公告没有给出产能、客户,也没有给出首次合格供货的日期。“FY2028”也没有对应到具体月份。Rasa 的财年到3月结束(日方称“年度”,nendo),而 RTT 按日历年结算,所以要问清楚适用哪一种口径。
酸在哪里生产:日本、台湾、韩国和美国
Rasa 称,除了品质,它的强项还有当地生产、当地销售。图6是它在2026年6月向投资者展示的供货布局。
工厂设在晶圆厂集中的地区,主要向该地区的客户供货。
来源:Rasa 截至2026年3月财年的业绩说明资料。该资料也把在中国生产的中国、韩国和台湾地区芯片厂商列为市场,但其四国生产计划中没有中国的工厂。
对在中国大陆生产的客户来说,这一点值得注意:资料中的四国生产布局(日本、台湾、韩国、美国)并不包含中国大陆的工厂,也没有写明大陆客户由哪个工厂供货。需要时,请直接向供应商确认。
Rasa 的有价证券报告书(日本上市公司的年度法定报告)写明,韩国关联公司是 SoulbrainRASA Co., Ltd.,位于忠清南道公州市,Rasa 持有39.0%的表决权。Rasa 不把这家公司纳入合并报表,所以不要假设它在 Rasa 的质量体系下运作,也不要假设 Rasa 能为它的工厂数据负责。
Rasa 的资料没有点出美国工厂的名称。2026年6月,德克萨斯州州长办公室宣布,向 Soulbrain RASA TX LLC 位于德州泰勒(Taylor)的首座美国生产设施提供1,160万美元的州补助。该项目投资超过1.2亿美元,第一期目标是年产28,800公吨“高选择性、高纯度”磷酸。
名称和产品与 Rasa 的描述吻合,但两份文件都没有明确把二者联系起来,另有一篇行业报道称这家德州公司是 Soulbrain Holdings 的子公司。这层关系请当作未确认。如果你要评价这个货源,请问清楚工厂归谁所有、适用谁的规格。
Rasa 不是唯一的选择。下表列出了我们能从公开资料确认的其他日韩美供应商,并不是完整的市场名单。
| 供应商 | 所在地 | 我们能确认的信息 |
|---|---|---|
| 磷化学工业(Rin Kagaku Kogyo) | 日本 | EL 级(电子材料刻蚀用)和 EL-S 级(半导体晶圆刻蚀用),均用热法(乾式法)制造。EL-S 有25或30 kg 罐装、300 kg 桶装、10吨槽车 |
| OCI | 韩国 | 年产能25,000吨。2024年9月称自己是首家向韩国所有芯片厂商(含三星电子、SK 海力士、SK keyfoundry、DB HiTek)供应高纯磷酸的韩国企业(OCI 自述,据 KED Global 报道) |
| Soulbrain RASA TX | 美国(德州泰勒) | 据德州州长办公室(2026年6月),第一期目标为年产28,800公吨。该公告未给出开业日期 |
中国大陆也有本土的电子级磷酸生产企业,例如前面提到的 GB/T 28159 起草单位之一湖北兴发化工集团。本表没有逐一核实国内企业的产品等级和产能,如需比较国内货源,请直接向各家索取规格和数据。
药液厂商为什么要在晶圆厂附近建厂

Rasa 的公告提到了需求,但没有多谈为什么选址重要。三菱瓦斯化学自称在超纯过氧化氢上占全球约50%的份额,它说得更直接:靠近消费地生产,能够快速响应客户并压低物流成本,距离近还能让新产品更快拿到客户反馈。
磷酸本身有物流上的特点。Rasa 公布的工业级规格中,相对密度从1.58以上到1.73以上,所以浓磷酸搬运起来很重。我们查阅的安全技术说明书(SDS)把85%磷酸归为 UN1805、第8类、包装类别 III,多数还标注熔点或凝固点约为21°C。因此请向供应商问清楚,运输和低温仓储(尤其是冬季)时如何保护产品。
本地工厂对买方有利,但并不是自动成立。图7把可能的好处,与仍需证明的事项放在一起对照。
左栏用来写业务论证,右栏用来规划验证工作。
- 运输距离缩短,物流成本和运输途中的风险更低
- 供应量可以随你的爬坡或新产线增长
- 库存水平和交货计划可以更近距离地协调
- 你的工艺结果与供应商之间的反馈更快
- 如果有多个货源通过验证,可以防范灾害和物流中断
- 新工厂的产品通过你的评价和认定
- 原料和高纯分析能力在当地已到位
- 该工厂有训练到位的人员,并有时间达到原工厂的质量水平
- 当地需求能长期支撑这座工厂
- 供应商能在行业下行期扛住工厂和债务
编辑部整理的一般性要点,不是 Rasa 在这次决策中列出的理由。
工厂竣工不等于合格供货。建成之后,供应商还要提供样品,通过客户工艺中的评价,再获得正式采用。请把这段时间差计入你的采购计划,因为已公布的日期只覆盖竣工。
其他日本的工艺药液供应商,也在台湾建设或收购产能。药液和用途不同,所以不要按规模比较这些项目。
| 公司 | 药液 | 在台湾的动作 | 时间 |
|---|---|---|---|
| Rasa Industries | 高纯磷酸(氮化硅刻蚀) | 在台中的子公司建第二工厂 | 2026年9月宣布,计划FY2028竣工 |
| 德山(Tokuyama) | 高纯异丙醇(IPA) | 在高雄的 Formosa Tokuyama Advanced Chemicals(与台塑各占50%的合资公司)建第二工厂,年产3万吨 | 2026年5月宣布,计划2028年9月运行 |
| 三菱瓦斯化学 | 超纯过氧化氢(清洗) | 在台湾运营一座超纯过氧化氢工厂 | 截至其2024年10月的说明资料 |
| 住友化学 | 半导体用工艺化学品 | 同意收购 Asia Union Electronic Chemical Corporation(台北)全部股份,该公司在高雄和内华达有工厂 | 2025年11月宣布,当时尚需获得批准 |
需求周期对买方同样重要。Rasa 的半导体相关销售包括电容器原料、刻蚀用途的絮凝剂和化合物半导体用高纯材料。这部分销售额从截至2023年3月财年的243亿日元,降到次年的196亿日元,再升到截至2026年3月财年的244亿日元(占总销售额的51.1%)。
请问清楚市场紧张时的配额(allocation)怎么分配,因为对芯片行业依赖度这么高的供应商,和你面对同一个周期。
在我们看来,Rasa 的两个动作目的不同:台湾是为增长中的客户增加供应,美国工厂则是随着芯片生产进入新的地区。买方同样适用这个逻辑——只依赖一个地区或一个工厂,风险就集中了。
日本供应商在海外开厂后,什么会变

下面各点是编辑部从一般角度提出的检查方向,不是关于 Rasa 的结论。具体怎么处理,取决于各晶圆厂的供应商质量协议。
- 你的验证数据未必能沿用。品牌没变,但你的验证结果来自另一座工厂。新工厂算不算新货源,由你的质量部门判断。
- 技术决定权可能在别处。当地工厂可以放行批次,但工艺可能由日本的母工厂(maza kojo)掌握。问清楚谁能批准偏差,以及要多久。
- 原料路径可能不同。不同工厂可能从不同的磷源起步,也可能对别处生产的中间品做最后加工。Rasa 没有公布各工厂的这方面信息。
- 实验室之间可能不一致。两个实验室在接近检出限处测同一批产品,结果可能不同,所以要索取工厂之间的实验室比对数据。
- 文件可能先以日文为准。问清楚规格书(kikakusho)、分析证书(日方称试验成绩书 shiken seisekisho)和变更通知,以哪种语言版本为准。
- 自动化也可能算变更。Rasa 称将在新工厂推进生产和发货的自动化。问清楚灌装和发货步骤,与你验证过的工厂是否不同。
回收再生也可能进入讨论。日本经济产业省(经产省,METI)在2023年7月认定了 Rasa 的一项计划,目标是确立高纯磷酸的回收技术,规模为每年960吨,计划2027年4月开始供应(依据日本《经济安全保障推进法》的供应保障计划,日方称“供給確保計画”)。如果对方提供再生酸,请要求单独标识,并与你的质量部门商定如何评价。
可以直接使用的内容:新货源验证清单、提问清单和邮件范例
清单:验证新的供货工厂
启动新工厂评价时,可以用这份清单来收集资料。批次数量、试验晶圆和合格判据,由你们晶圆厂自己的验证计划决定。
- 产品:普通酸还是配方型刻蚀液、等级名称、产品编码,以及声称符合的 SEMI C36 等级或 GB/T 28159 的哪个版本
- 工厂与归属:法人主体、工厂地址、母公司或合资伙伴,以及由谁签署质量协议
- 工艺路线:热法还是湿法、磷源、提纯、过滤和灌装步骤
- 规格:含量及公差、按元素列出的金属、阴离子、硅、按粒径列出的颗粒,以及每一项的测试方法和报告限
- 对比数据:新工厂与已验证工厂的连续批次数据,以及实验室比对
- 工艺内评价:在你自己的膜层叠构上,槽液寿命期间的氮化硅和氧化硅刻蚀速率、二氧化硅行为和颗粒增加量
- 包装与物流:容器类型和材质、容器清洗、运输温度、结冰风险、保质期,以及实际路线上的危险品分类
- 变更管理:什么情况会触发通知、提前多久通知、通知是否提供中文或英文(含 4M 变更:人、机、料、法)
- 供应连续性:备用工厂、安全库存和短缺期间的配额规则
- 环境、健康与安全:当地版化学品安全技术说明书(SDS)、本地许可,以及废酸的处理方式(按国内危险废物管理要求,请与环保部门确认)
对日方的提问清单
请尽早发出,最好在工厂建成之前。建议书面提问,因为答复可能要经过日本总部。
- 我们的产品由哪个工厂生产?这个工厂的产品是否已在某家晶圆厂通过验证?(不需要客户名称。)
- 这种酸是用热法(日方称乾式法,kanshiki-ho)还是湿法(湿式法,shisshiki-ho)生产的?各工厂的路线是否相同?
- 各工厂是否使用相同的磷源,以及相同的提纯和过滤步骤?
- 能否提供受控规格,包括按元素列出的金属、按粒径列出的颗粒和报告限?
- 产品符合 SEMI C36 的哪个等级、哪个版本?是否同时执行 GB/T 28159,执行的是哪个版本?
- 各工厂是否对同一批次做过实验室比对?我们能否看到结果?
- 新工厂的样品何时可以提供?通过验证后,预计何时开始批量供货?
- 发生 4M 变更(人、机、料、法)时,你们的变更通知流程是什么?
- 谁拥有工艺并能批准偏差:当地工厂还是日本总部?
- 哪个工厂负责开发提纯和分析方法?下一代药液会在哪里与我们一起评价?
- 我们的产品中是否会使用回收再生的酸?
询问邮件范例
请按你的实际情况修改。替换方括号中的内容,并删去保密协议不允许对外提供的信息。如果对方习惯用英文或日文沟通,可以请同事或翻译对照此范例改写。
主题:高纯磷酸:[我方工厂] 对 [工厂名称] 的评价申请
[姓名] 先生/女士:您好!
我司 [所在地] 工厂在氮化硅湿法刻蚀中使用高纯磷酸,希望评价贵司 [工厂名称] 的供货。
烦请在 [日期] 前提供以下资料:
- 等级名称和受控规格,包括含量、按元素列出的金属、按粒径列出的颗粒、测试方法和报告限
- 该工厂的生产路线和主要工序,以及与 [当前已验证的工厂] 的差异
- 近期连续批次的数据,以及各工厂之间的实验室比对结果
- 包装方案、运输温度控制,以及送到我司工厂的运输路线
- 变更通知流程和提前通知的期限
- 样品的预计提供时间,以及通过验证后批量供货的预计时间
我司预计用量约为每月 [吨数],计划从 [日期] 前后开始。如有需要,我们可以签署保密协议。也请告知贵司负责技术问题、可用中文或英文沟通的联系人。
此致
[姓名、职务、公司]
本文的局限
- 选择比数值和二氧化硅饱和浓度,来自针对特定条件的专利和会议摘要,不是工艺建议。
- 电子级的限值大多没有公开。我们没有查阅 SEMI C36 的付费全文,也没有核对 GB/T 28159-2025 的全文,你的产品的金属限值必须由供应商提供。
- 热磷酸有危险。本文不是作业指导书,请遵守你所在工厂的规程和供应商的安全技术说明书(SDS)。
- 新工厂需要全面还是部分重新验证,取决于你的晶圆厂、节点和质量协议。
- 公司信息来自截至2026年11月可获得的公告。美元换算只是粗略参考,不是公布的数字。
常见问题
热磷酸在半导体制造中用来做什么?
它选择性地去除氮化硅膜,而对氧化硅的刻蚀要慢得多。典型槽温约为160°C。应用包括去除逻辑和存储器件中的氮化硅掩模,以及去除3D NAND 叠层中的氮化硅层,不过层数更高时可能需要配方型药液。
电子级磷酸与工业级磷酸有什么区别?
两者的含量可以差不多(例如85%),区别在于杂质管控。Rasa 公布的工业级规格把铁限制在5 ppm 以下,而电子级则按元素设定更低的限值,还按粒径控制颗粒。例如磷化学工业的 EL-S 级,要求0.2 µm 及以上颗粒不超过200个/mL。
哪些企业生产半导体级磷酸?
公开资料显示,有 Rasa Industries(日本、台湾及其韩国关联公司 SoulbrainRASA)、磷化学工业(日本)、OCI(韩国)、Soulbrain RASA TX(德州在建工厂)等,国内也有生产企业。这不是完整名单,各供应商的等级和工厂请直接确认。
Rasa 的台湾第二工厂什么时候开始向客户供货?
Rasa 没有说明。它计划在FY2028竣工,但没有公布产能,也没有公布客户认定之后开始供货的时间。半导体材料的验证需要时间,所以竣工和合格供货之间会有时间差,请向供应商索取最新的进度。
用过的高纯磷酸可以回收再生吗?
Rasa 正在推进。经产省在2023年7月,依据日本《经济安全保障推进法》认定了它的计划,规模为每年960吨,计划2027年4月开始供应,Rasa 也把回收的实用化列入了中期经营计划。
请要求再生材料单独标识,因为它需要另外评价。
资料来源
- 新工厂、理由、RTT 销售额、日元汇率:Rasa Industries,关于合并子公司新建工厂的公告,2026年9月30日(日文)
- 销售额、供货布局、台湾扩能、半导体相关销售:Rasa Industries,截至2026年3月财年业绩说明资料(日文)
- SoulbrainRASA Co., Ltd. 表决权:Rasa Industries,2026年6月提交的有价证券报告书(日文)
- 生产路线与工业级规格:Rasa Industries,磷酸产品页面(日文)
- EL 级和 EL-S 级、颗粒限值、包装:磷化学工业,高纯磷酸(日文)
- 适用范围与现行版本:SEMI,“SEMI C36 - Specification for Phosphoric Acid”
- 国内标准状态(GB/T 28159-2011 已废止,由 GB/T 28159-2025 代替):全国标准信息公共服务平台,电子级磷酸
- 痕量金属测定:Agilent 应用说明,“Determination of Trace Metal Impurities in Semiconductor Grade Phosphoric Acid by High Sensitivity Reaction Cell ICP-MS”
- 单片刻蚀、温度、硅控制:芝浦机电 Shibaura Mechatronics,SC300-HT 系列(日文)
- 前道工序概述:SCREEN Semiconductor Solutions,半导体制造工艺(日文)
- 3D NAND 氮化硅去除:Entegris,“Considerations for Improving 3D NAND Performance, Reliability, and Yield”(2018,英文)
- 100:1 以上的选择比、二氧化硅行为、温度与不均匀性:Bassett、Printz、Furukawa(东京电子),第228届 ECS 会议摘要,2015年
- 165°C 下30:1 的选择比:Garnier 等(STMicroelectronics),第228届 ECS 会议摘要,2015年
- 新槽与旧槽的选择比、补水:美国专利 US 6,699,400
- 硅控制、二氧化硅饱和、颗粒:美国专利 US 8,834,671
- 补加新酸调整硅含量:美国专利 US 8,409,997
- 硅含量与氧化硅刻蚀速率、胶体二氧化硅:美国专利 US 10,325,779
- 热法与湿法工艺路线:The Essential Chemical Industry,“Phosphoric acid”;Wikipedia,“Phosphoric acid”
- 危险品分类与凝固点:磷酸溶液安全技术说明书,伊利诺伊大学;Glentham 产品数据表
- 德州项目:德克萨斯州州长办公室,2026年6月4日;Area Development,2026年6月11日
- OCI 的供货与产能:KED Global,“OCI supplies ultrapure phosphoric acid to SK Hynix”,2024年9月2日
- 靠近消费地供货、全球份额、IRDS 示例:三菱瓦斯化学,电子化学品业务说明会资料,2024年10月2日(日文)
- IPA 工厂:德山,新闻稿,2026年5月20日(日文)
- AUECC 收购:住友化学,新闻稿,2025年11月20日(日文)
- 回收计划:日本经济产业省,供应保障计划(第16-1号)认定概要(日文)
- 美元汇率:ValutaFX,2026年9月30日美元兑新台币
日文原文本指南改编自 MONOSCOPE 面向日本读者撰写的文章:半導体用高純度リン酸とは|ラサ工業が台湾に188億円の新工場を建てる理由
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