กรดฟอสฟอริกเกรดเซมิคอนดักเตอร์: โรงงานใหม่ของ Rasa ในไต้หวัน

ซัพพลายเออร์แจ้งโรงงานของคุณว่า กรดฟอสฟอริกล็อตถัดไปจะส่งจากโรงงานใหม่ในไต้หวัน เกาหลี หรือสหรัฐฯ ชื่อสินค้าและค่าความบริสุทธิ์ที่ระบุยังเหมือนเดิม สิ่งที่คุณต้องรู้คือ กรดจากโรงงานใหม่จะทำงานเหมือนเดิมในอ่างร้อนของคุณหรือไม่ และต้องใช้งานรับรองคุณสมบัติ (Qualification) มากแค่ไหน

กรดฟอสฟอริกเกรดเซมิคอนดักเตอร์ คือสารกัดที่ละลายฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ (Si₃N₄) โดยกัดฟิล์มซิลิคอนออกไซด์ (SiO₂) น้อยมาก เมื่อวันที่ 30 กันยายน 2026 บริษัท Rasa Industries ของญี่ปุ่น ซึ่งอ้างว่าครองส่วนแบ่งตลาดโลกอันดับหนึ่งของสินค้านี้ ประกาศสร้างโรงงานแห่งที่สองที่ไถจง ไต้หวัน เงินลงทุนประมาณ 3.8 พันล้านดอลลาร์ไต้หวัน (NT$) หรือราว 18.8 พันล้านเยน (ประมาณ 119 ล้านดอลลาร์สหรัฐ)

บทความนี้อธิบายเคมีของการกัด ความต่างระหว่างเกรดอิเล็กทรอนิกส์กับเกรดอุตสาหกรรม และแหล่งผลิตของ Rasa กับซัพพลายเออร์รายอื่น จากนั้นดูว่าผู้ซื้อควรตรวจอะไรก่อนอนุมัติแหล่งผลิตใหม่ ช่วงท้ายมีเช็กลิสต์ รายการคำถามสำหรับฝั่งญี่ปุ่น และตัวอย่างอีเมลสอบถาม

โรงงานที่ใช้กรดนี้โดยตรงในไทยอาจมีไม่มาก แต่เรื่องที่ซัพพลายเออร์ย้ายหรือเพิ่มแหล่งผลิตแล้วต้องรับรองใหม่ เป็นเรื่องเดียวกับที่โรงงานชิ้นส่วนรถยนต์และอิเล็กทรอนิกส์เจอเป็นประจำ (4M Change, PCN) คนที่ดูแลจัดซื้อ คุณภาพ หรือวัตถุดิบเคมีนำแนวคิดในบทความนี้ไปใช้ได้

สารบัญ

1. กรดฟอสฟอริกร้อนทำอะไรใน fab
2. เกรดอุตสาหกรรมกับเกรดอิเล็กทรอนิกส์: Assay ไม่ใช่ความบริสุทธิ์
3. สิ่งที่ Rasa ประกาศ
4. กรดผลิตที่ไหน: ญี่ปุ่น ไต้หวัน เกาหลี และสหรัฐฯ
5. ทำไมผู้ผลิตสารเคมีสร้างโรงงานใกล้ fab
6. เมื่อซัพพลายเออร์ญี่ปุ่นเปิดโรงงานในต่างประเทศ อะไรเปลี่ยนไป
7. นำไปใช้ได้ทันที
8. ข้อจำกัดของบทความนี้
9. คำถามที่พบบ่อย
10. แหล่งข้อมูล

กรดฟอสฟอริกร้อนทำอะไรใน fab

กระบวนการหน้า (front-end) ของเวเฟอร์วนทำวงจรเดิมหลายสิบรอบ คือเคลือบฟิล์ม สร้างลวดลาย กัด และล้าง กรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูงใช้ในขั้น Wet Etching ซึ่งใช้ของเหลวละลายฟิล์ม Rasa อธิบายว่าสินค้าของตนเป็นสารเคมี Wet Etching ในกระบวนการหน้า สำหรับอุปกรณ์ Logic และ Memory (NAND และ DRAM)

ซิลิคอนไนไตรด์แข็งและทนสารเคมี จึงใช้เป็นหน้ากาก (mask) ป้องกันชั้นล่าง และเป็นฟิล์มฉนวนหรือฟิล์มป้องกัน เมื่อไนไตรด์หมดหน้าที่แล้ว วิธีทั่วไปในการเอาออกคือจุ่มเวเฟอร์ในกรดที่อุ่นถึงประมาณ 160°C (320°F) รูปที่ 1 แสดงผลลัพธ์

รูปที่ 1: การกัดไนไตรด์แบบเลือกเฉพาะด้วยกรดฟอสฟอริกร้อน (แผนภาพจำลอง)

เป้าหมายคือเอาเฉพาะซิลิคอนไนไตรด์ออก และเก็บออกไซด์ด้านล่างไว้เกือบทั้งหมด

ซิลิคอนไนไตรด์ (ต้องการเอาออก)ซิลิคอนออกไซด์ (ต้องการเก็บไว้)ซับสเตรตซิลิคอน

แผนภาพที่ทำให้ง่ายมาก ความหนาและรูปร่างของฟิล์มต่างกันตามกระบวนการ และออกไซด์ก็ถูกกัดไปเล็กน้อยเช่นกัน

Dry Etching กับ Wet Etching เป็นคนละขั้นในวงจรเดียวกัน รูปที่ 2 แสดงว่าขั้นกรดฟอสฟอริกอยู่ตรงไหน ซึ่งช่วยเวลาอธิบายให้ฝ่ายจัดซื้อหรือโลจิสติกส์ที่ไม่ได้ทำงานใน fab

รูปที่ 2: ตำแหน่งของกรดฟอสฟอริกในวงจรกระบวนการหน้า

การเคลือบฟิล์ม การสร้างลวดลาย การกัด และการล้าง วนซ้ำหลายสิบรอบ กรดฟอสฟอริกทำหน้าที่ส่วนหนึ่งของการกัด

สร้างลวดลาย

01Depositionเคลือบฟิล์มออกไซด์ ไนไตรด์ โลหะ หรืออื่น ๆ ลงบนเวเฟอร์

02Lithographyพิมพ์ลายวงจรลงบน resist

03Dry Etchingใช้ก๊าซหรือพลาสมากัดฟิล์มตามลวดลาย

เอาออกและทำความสะอาด

04Wet Etchingใช้สารเคมีละลายฟิล์ม กรดฟอสฟอริกร้อนเอาไนไตรด์ออก

05Cleaningใช้สารเคมีล้างอนุภาค โลหะ และสารอินทรีย์

06ชั้นถัดไปทำ Doping หรือ Planarization ตามต้องการ แล้ววนกลับไปเริ่มที่ Deposition

ลำดับและจำนวนรอบต่างกันตามอุปกรณ์ บรรณาธิการย่อให้ง่ายจากภาพรวมกระบวนการของ SCREEN

Selectivity: อัตราการกัดไนไตรด์เทียบกับออกไซด์

Selectivity คืออัตราส่วนระหว่างอัตราการกัดไนไตรด์กับอัตราการกัดออกไซด์ ตัวอย่างเช่นที่ 50:1 อ่างจะกัดไนไตรด์ได้ 50 nm ในขณะที่กัดออกไซด์ 1 nm ตัวเลขที่เผยแพร่มีช่วงกว้างมาก เพราะขึ้นกับชนิดฟิล์ม อุณหภูมิ และสภาพของอ่าง

ตัวอย่างด้านล่างมาจากการตั้งค่าเฉพาะแต่ละกรณี ใช้เป็นภาพประกอบเท่านั้น ไม่ใช่เป้าหมายหรือสเปก

• ประมาณ 24:1 ขึ้นเป็น 50:1 หรือมากกว่า: เทียบอ่างใหม่กับอ่างเดียวกันหลังกัดเวเฟอร์ไนไตรด์ไปราว 1,000 แผ่น ตามสิทธิบัตรสหรัฐฯ ที่อธิบายกระบวนการที่ประมาณ 165°C (329°F)
• 30:1: กรด 85% ที่ 165°C ในงานเอา spacer ออกที่ 28 nm (STMicroelectronics, 2015)
• มากกว่า 100:1: อ่างร้อนที่ปรับตั้งอย่างเหมาะสมสำหรับ 3D NAND (Tokyo Electron, 2015)

ประเด็นที่ควรจำคือช่องว่างระหว่างอ่างใหม่กับอ่างที่ใช้แล้ว กรดที่คุณซื้อกำหนดสภาพเริ่มต้น ส่วนสิ่งที่เกิดขึ้นหลังจากนั้นขึ้นกับเครื่องและการควบคุมอ่างของคุณ

ความเข้มข้นซิลิคอน: หน้าต่างที่แคบ

ซิลิคอนที่ละลายอยู่ทำให้ออกไซด์ถูกกัดช้าลง ยิ่งมีซิลิคอนในอ่างมาก อัตราการกัดออกไซด์ยิ่งต่ำ การกัดไนไตรด์ทำให้เกิดผลิตภัณฑ์ซิลิคอนปนในกรด และอ่างมักถูกเติมซิลิกาไว้ล่วงหน้าด้วย ด้วยเหตุนี้อ่างที่ใช้แล้วจึงอาจมี Selectivity สูงกว่าอ่างใหม่

แต่ซิลิคอนตัวเดียวกันนี้ก็เป็นความเสี่ยงหลัก เมื่อเกินระดับวิกฤต ซิลิคอนจะตกตะกอนเป็นซิลิกา สิทธิบัตรสหรัฐฯ ฉบับหนึ่งระบุว่าจุดอิ่มตัวอยู่ที่ประมาณ 120 ppm ที่ 165°C และเรียกซิลิกาที่ตกตะกอนว่าแหล่งอนุภาคสำคัญที่ทำให้ Yield ตก

รูปที่ 3 แสดงการแลกเปลี่ยนนี้

รูปที่ 3: การแลกเปลี่ยนเรื่องความเข้มข้นซิลิคอน (แนวคิด)

ซิลิคอนช่วยให้ Selectivity ดีขึ้น จนกว่าจะเริ่มเกาะตัว อ่างต้องอยู่ระหว่างขีดจำกัดสองด้าน

ต่ำเกินไปสูญเสียออกไซด์มากขึ้นออกไซด์ถูกกัดเร็วขึ้น Selectivity จึงลดลง

อยู่ในหน้าต่างกัดได้นิ่งไนไตรด์ถูกกัด และอัตราการกัดออกไซด์ยังต่ำ

สูงเกินไปซิลิกาตกตะกอนซิลิกาโตบนออกไซด์ที่เปิดอยู่ และเพิ่มอนุภาค

ไม่ใส่ตัวเลข เพราะหน้าต่างนี้ขึ้นกับเครื่อง อุณหภูมิ ฟิล์ม และสูตรเคมี เจ้าของกระบวนการเป็นผู้กำหนด

ผู้ผลิตเครื่องออกแบบโดยคำนึงถึงหน้าต่างนี้ Shibaura Mechatronics ระบุว่าเครื่องแบบทีละแผ่น SC300-HT ของตนรักษากรดไว้ที่ 160°C ขึ้นไป และควบคุมความเข้มข้นซิลิคอนเพื่อให้ได้ Selectivity สูง สิทธิบัตรยังอธิบายการเติมกรดร้อนใหม่เพื่อปรับระดับซิลิคอน และการเติมน้ำ DI ชดเชยส่วนที่ระเหยไป

ด้วยเหตุนี้ ใบรับรองผลวิเคราะห์ (Certificate of Analysis) ที่สวยงามจึงยังตอบคำถามไม่ได้ทั้งหมด กรดต้องทำงานนิ่งหลังถูกอุ่นและใช้ซ้ำในเครื่องของคุณด้วย แหล่งใหม่จึงต้องประเมินในกระบวนการจริง

3D NAND: เอาไนไตรด์ออกจากด้านข้าง

โครงสร้าง 3D NAND ซ้อนชั้นออกไซด์กับไนไตรด์สลับกัน แล้วเอาไนไตรด์ออกในแนวขวางภายหลัง การกัดต้องเอาไนไตรด์ออกให้สม่ำเสมอทั้งด้านบนและด้านล่างของชั้นซ้อน และทั่วทั้งเวเฟอร์ โดยไม่ทำลายออกไซด์ Entegris อธิบายขั้นนี้ในเอกสารปี 2018 ว่าเป็นความท้าทายของ Wet Etch เมื่อ Aspect Ratio ถึงราว 50:1

ตามเอกสารนั้น ต่ำกว่า 96 ชั้นใช้กรดฟอสฟอริกร้อนที่ประมาณ 160°C ส่วน 96 ชั้นขึ้นไปต้องใช้สูตรเคมีเฉพาะเพื่อเพิ่ม Process Margin Entegris ขายสูตรเคมีเฉพาะเอง จึงควรอ่านเป็นมุมมองของซัพพลายเออร์ และตรวจว่า Node ของคุณใช้อะไรอยู่จริง

ซิลิกาก็เป็นข้อกังวลที่นี่เช่นกัน เพราะสิทธิบัตรอธิบายว่าคอลลอยด์ซิลิกาโตบนออกไซด์ที่เปิดอยู่ และขัดขวางการเอาไนไตรด์ออก นักวิจัยของ Tokyo Electron ระบุว่าความไม่สม่ำเสมอภายในเวเฟอร์และระหว่างเวเฟอร์ส่วนใหญ่มาจากความต่างของอุณหภูมิในอ่าง

ดังนั้นต้องตัดสินใจก่อนว่า คุณซื้อกรดเกรดอิเล็กทรอนิกส์ธรรมดา หรือสารกัดสูตรเฉพาะ สองอย่างนี้ต้องถามคนละชุดคำถาม

เกรดอุตสาหกรรมกับเกรดอิเล็กทรอนิกส์: Assay ไม่ใช่ความบริสุทธิ์

Assay (ภาษาญี่ปุ่น ganryo) คือปริมาณ H₃PO₄ ในของเหลว แม้กรดเกรดอุตสาหกรรมก็มักมาที่ประมาณ 85% ค่า Assay สูงจึงบอกอะไรไม่ได้เรื่องความเหมาะกับ fab สำหรับงานเซมิคอนดักเตอร์ คำถามที่เข้มงวดกว่าคือ กรดมีโลหะน้อยแค่ไหน เช่นเหล็กและโซเดียม และมีอนุภาคน้อยแค่ไหน

รูปที่ 4 เทียบสองเกรดโดยใช้ตัวอย่างที่เผยแพร่จากผู้ผลิตญี่ปุ่นสองราย

รูปที่ 4: กรดฟอสฟอริกเกรดอุตสาหกรรมเทียบกับเกรดเซมิคอนดักเตอร์

ทั้งสองเป็น H3PO4 แต่ผู้ซื้อตรวจคนละรายการ และระดับการควบคุมต่างกันมาก

เกรดอุตสาหกรรมหรือเกรดอาหาร

เกรดเซมิคอนดักเตอร์ (เกรดอิเล็กทรอนิกส์)

การใช้งานหลัก

วัตถุดิบเกลือฟอสเฟต การปรับสภาพผิวโลหะ การขัดเงาอะลูมิเนียมด้วยสารเคมี วัตถุเจือปนอาหาร

Wet Etching ในกระบวนการหน้า (เอาไนไตรด์ออก)

Assay

มีเกรดเช่น 75%, 85% และ 89% ขั้นต่ำ (Rasa)

มีการควบคุม และให้ความสำคัญกับการแปรปรวนต่ำ ควรยืนยันค่าและช่วงเผื่อกับซัพพลายเออร์

สิ่งเจือปนโลหะ

กำหนดเป็น ppm เหล็ก 5 ppm หรือน้อยกว่า สารหนู 0.5 ppm หรือน้อยกว่า (Rasa)

กำหนดต่ำกว่านั้นและแยกตามธาตุ ควรยืนยันขีดจำกัดกับซัพพลายเออร์

อนุภาค (Particle)

สเปกเกรดอุตสาหกรรมที่ Rasa เผยแพร่ ไม่มีรายการอนุภาค

นับตามขนาด Rin EL-S: 200 ต่อ mL หรือน้อยกว่า ที่ขนาด 0.2 µm ขึ้นไป

วิธียืนยันคุณภาพ

สเปกและการตรวจก่อนส่ง

การตรวจก่อนส่ง บวกการประเมินและรับรองในกระบวนการของลูกค้า

ค่าเหล่านี้เป็นตัวอย่างที่เผยแพร่ของแต่ละสินค้า ได้แก่ Rasa (เกรดอุตสาหกรรม) และ Rin Kagaku Kogyo (EL-S) ไม่ใช่ขีดจำกัดของทั้งอุตสาหกรรม

จาก ppm ไปถึง ppt

ตัวเลขเกรดอิเล็กทรอนิกส์ที่เผยแพร่มีจำกัด Rin Kagaku Kogyo ระบุขีดจำกัดอนุภาคของเกรดสูงสุด EL-S (200 ต่อ mL ที่ 0.2 µm, 70 ต่อ mL ที่ 0.3 µm และ 20 ต่อ mL ที่ 0.5 µm) ส่วนเรื่องอื่นให้สอบถามฝ่ายขาย เอกสารที่ใช้ได้จริงคือสเปกของ fab คุณเอง และสเปกที่ซัพพลายเออร์ควบคุม

SEMI C36 (ฉบับปัจจุบัน C36-1121) เป็นสเปกของ SEMI สำหรับเกรดกรดฟอสฟอริกที่ใช้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ และวิธีทดสอบต้องผ่านข้อกำหนดการ Validation ของ SEMI C1 เอกสารนี้ต้องซื้อ เราจึงไม่ลอกขีดจำกัดมาลงที่นี่ ให้ถามว่าสินค้าของซัพพลายเออร์ตรงกับเกรดและ Revision ใด ถ้ามี เราไม่ได้ยืนยันว่ามี มอก. ของไทยที่เทียบเท่าเกรดนี้ จึงควรอ้างสเปกของลูกค้า สเปกของซัพพลายเออร์ และ SEMI C36 เป็นหลัก

เพื่อดูทิศทาง ให้ดูสารเคมีอีกชนิดหนึ่ง Mitsubishi Gas Chemical อ้างอิงแผนที่นำทาง International Roadmap for Devices and Systems (IRDS) ปี 2022 สำหรับไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ 30% จากซัพพลายเออร์

แผนที่นำทางนี้เข้มขึ้นสำหรับโลหะแต่ละตัว จาก 10 ส่วนในล้านล้านส่วน (ppt) ในปี 2021 เป็น 5 ppt ตั้งแต่ปี 2024 และสำหรับอนุภาคขนาด 20 nm จาก 500 ต่อ mL เป็น 200 ต่อ mL ภายในปี 2027 ตัวเลขเหล่านี้ไม่ใช่ขีดจำกัดของกรดฟอสฟอริก

การวัดเป็นส่วนหนึ่งของสเปกด้วย โลหะปริมาณน้อยในกรดเกรดเซมิคอนดักเตอร์ 85% วัดได้ด้วย ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry) และเอกสารประยุกต์ของ Agilent รายงานขีดจำกัดการตรวจวัดระดับ ppt โดยวัดในกรดที่เจือจางประมาณ 100 เท่า ผลที่เขียนว่า "ต่ำกว่า X" ไม่มีความหมายนัก จนกว่าจะรู้ Reporting Limit ของแต่ละแล็บ

Thermal Process เทียบกับ Wet Process

เอกสารญี่ปุ่นใช้คำว่า kanshiki-ho (วิธีแห้ง, dry process) ซึ่งเอกสารภาษาอังกฤษมักเรียกว่า thermal process คือเผาฟอสฟอรัสเหลือง (yellow phosphorus) ได้ฟอสฟอรัสเพนทอกไซด์ แล้วให้ทำปฏิกิริยากับน้ำ ส่วน shisshiki-ho (วิธีเปียก, wet process) คือย่อยหินฟอสเฟตด้วยกรดซัลฟิวริกหรือกรดอื่น

Rasa ระบุว่าใช้เส้นทางผ่านฟอสฟอรัสเหลือง และ Rin ระบุว่าผลิตเกรดอิเล็กทรอนิกส์ด้วย dry process ที่มีสิ่งเจือปนน้อย กรดจาก wet process เริ่มต้นด้วยสิ่งเจือปนจากหินมากกว่า แต่ก็ทำให้บริสุทธิ์ต่อได้ เส้นทางผลิตอย่างเดียวจึงไม่ได้ตัดสินว่าสินค้าผ่านหรือไม่ผ่าน แต่ควรบันทึกไว้ เพราะคุณจะอยากรู้หากมีการเปลี่ยนในอนาคต

สิ่งที่ Rasa ประกาศ

Rasa Industries ก่อตั้งปี 1913 ผลิตสารเคมีฟอสฟอรัส วัสดุความบริสุทธิ์สูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์แบบสารประกอบ และเครื่องบดกับเครื่องมืองานอุโมงค์ ยอดขายปีงบประมาณสิ้นสุดมีนาคม 2026 อยู่ที่ 47.7 พันล้านเยน (ประมาณ 303 ล้านดอลลาร์สหรัฐ) โดยกรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูงมี 16.8 พันล้านเยน หรือ 35.2% การครองส่วนแบ่งตลาดโลกอันดับหนึ่งเป็นคำอ้างของ Rasa เอง เรายังไม่ได้ตรวจสอบอย่างอิสระ

รูปที่ 5 สรุปการประกาศ ตัวเลขดอลลาร์สหรัฐทั้งหมดในบทความนี้เป็นการแปลงคร่าว ๆ ของเราเอง ตามอัตราในหมายเหตุของรูป

รูปที่ 5: โรงงานแห่งที่สองในไต้หวันในรูปตัวเลข

โรงงานเดิมขยายกำลังผลิตและเริ่มเดินเครื่องในเดือนเมษายน 2026 โรงงานใหม่คือก้าวถัดไป

เงินลงทุนรวมNT$3.8 พันล้านประมาณ 18.8 พันล้านเยน หรือราว 119 ล้านดอลลาร์สหรัฐ

พื้นที่โรงงาน17,200 m²ประมาณ 185,000 ตารางฟุต บนที่ดินเช่า

กำหนดแล้วเสร็จFY2028นิคมเดียวกับโรงงานแห่งที่ 1

ยอดขายบริษัทย่อย2.1 เท่าใน 5 ปี ตั้งแต่ปี 2020 ถึง 2025

ขั้นตอนการลงทุนที่ Rasa Technology Taiwan

ขั้นที่ 1ขยายโรงงานเดิมประมาณ 3 พันล้านเยน (ประมาณ 19 ล้านดอลลาร์สหรัฐ) เพิ่มกำลังผลิตของไต้หวัน 40% เริ่มเดินเครื่องเมษายน 2026

ขั้นที่ 2โรงงานแห่งที่สองประมาณ 18.8 พันล้านเยน Rasa ตั้งเป้าทำการผลิตและการจัดส่งให้เป็นอัตโนมัติด้วย กำหนดแล้วเสร็จ FY2028

ยังไม่เปิดเผยกำลังผลิตและเวลากำลังผลิตของโรงงานใหม่ และเวลาที่เริ่มส่งมอบหลังลูกค้ารับรองแล้ว

แหล่งข้อมูล: เอกสารเปิดเผยของ Rasa วันที่ 30 กันยายน 2026 และเอกสารชี้แจงผลประกอบการปีงบประมาณสิ้นสุดมีนาคม 2026 ค่าเงินเยนใช้อัตราของ Rasa คือ NT$1 = 4.94 เยน (30 กันยายน 2026) ค่าดอลลาร์สหรัฐเป็นการแปลงของเราที่ NT$31.89 = 1 ดอลลาร์สหรัฐ ซึ่งเป็นอัตรากลางของวันเดียวกัน คิดเป็นประมาณ 157.5 เยน = 1 ดอลลาร์สหรัฐ

ผู้สร้างคือ Rasa Technology Taiwan Ltd. (RTT) บริษัทย่อยที่ Rasa ถือหุ้น 100% ตั้งในเดือนธันวาคม 2003 ที่เขตอู่ฉี เมืองไถจง

โรงงานแห่งที่สองจะอยู่ในนิคมเดียวกับแห่งแรก คือ Taichung Port Technology Industrial Park Rasa จะใช้เงินสดของตนเองและเงินกู้

Rasa ให้เหตุผลของการลงทุนสามข้อ

• ไต้หวันเป็นฐานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำแห่งหนึ่งของโลก โดยเน้น Logic ขั้นสูง
• Generative AI และ Data Center คาดว่าจะทำให้ความต้องการเซมิคอนดักเตอร์ขยายต่อเนื่อง
• ความต้องการกรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูงเพิ่มในไต้หวันมีแนวโน้มแรงขึ้น

ยอดขายของ RTT เพิ่มจาก NT$1,232 ล้านในปี 2020 เป็น NT$2,592 ล้านในปี 2025 ตัวเลขนี้รวมผลของราคาและสัดส่วนสินค้าด้วย จึงอย่าอ่านเป็นปริมาณที่โตขึ้น Rasa ยังคาดว่าผลกระทบต่อผลประกอบการปีงบประมาณสิ้นสุดมีนาคม 2027 มีเพียงเล็กน้อย โรงงานนี้จึงไม่ใช่เหตุการณ์ด้านอุปทานในระยะใกล้

เอกสารเปิดเผยไม่ได้ระบุกำลังผลิต ลูกค้า หรือวันที่เริ่มส่งมอบหลังรับรองแล้ว คำว่า "FY2028" ก็ไม่ได้ผูกกับเดือนใด ปีงบประมาณของ Rasa จบเดือนมีนาคม ส่วนของ RTT จบเดือนธันวาคม จึงควรถามว่าใช้ปฏิทินแบบไหน

กรดผลิตที่ไหน: ญี่ปุ่น ไต้หวัน เกาหลี และสหรัฐฯ

Rasa ระบุว่าจุดแข็งของตนคือการผลิตและขายในท้องถิ่น นอกเหนือจากคุณภาพ รูปที่ 6 แสดงแผนที่การส่งมอบตามที่นำเสนอต่อนักลงทุนเมื่อมิถุนายน 2026

รูปที่ 6: โรงงานของกลุ่ม Rasa และลูกค้าหลักของกรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูง

โรงงานตั้งอยู่ในภูมิภาคที่มี fab หนาแน่น และส่งให้ลูกค้าในภูมิภาคนั้นเป็นหลัก

โรงงาน

ลูกค้าหลัก

ญี่ปุ่น

โรงงานโอซาก้า

ผู้ผลิตชิปญี่ปุ่น และผู้ผลิตชิปไต้หวันกับสหรัฐฯ ที่ผลิตในญี่ปุ่น

ไต้หวัน

RTT บริษัทย่อยที่รวมงบการเงิน (กำลังผลิตเพิ่ม 40% ในเมษายน 2026 โรงงานแห่งที่ 2 ใน FY2028)

ผู้ผลิตชิปไต้หวัน และผู้ผลิตชิปสหรัฐฯ ที่ผลิตในไต้หวัน

เกาหลีใต้

บริษัทร่วมทุนเกาหลี (บริษัทที่ใช้วิธีส่วนได้เสีย)

ผู้ผลิตชิปเกาหลี

สหรัฐอเมริกา

โรงงานใหม่ในสหรัฐฯ ของบริษัทร่วมทุนเกาหลี (กำหนดแล้วเสร็จครึ่งแรกของ 2027)

ผู้ผลิตชิปไต้หวัน เกาหลี และสหรัฐฯ ที่ผลิตในอเมริกาเหนือ

แหล่งข้อมูล: เอกสารชี้แจงผลประกอบการปีงบประมาณสิ้นสุดมีนาคม 2026 ของ Rasa เอกสารนี้ยังแสดงผู้ผลิตชิปจีน เกาหลี และไต้หวันที่ผลิตในจีนเป็นตลาดด้วย แต่แผนผลิตสี่ประเทศไม่มีโรงงานในจีน

รายงานหลักทรัพย์ประจำปีของ Rasa ระบุว่าบริษัทในเกาหลีคือ SoulbrainRASA Co., Ltd. ที่เมืองกงจู จังหวัดชุงชองใต้ โดย Rasa ถือสิทธิออกเสียง 39.0% Rasa ไม่รวมงบการเงินของบริษัทนี้ อย่าสรุปเองว่าบริษัทนี้ทำงานภายใต้ระบบคุณภาพของ Rasa หรือว่า Rasa ตอบแทนได้เรื่องข้อมูลของโรงงานนั้น

เอกสารของ Rasa ไม่ได้ระบุชื่อโรงงานในสหรัฐฯ ในเดือนมิถุนายน 2026 สำนักงานผู้ว่าการรัฐเท็กซัสประกาศเงินสนับสนุนจากรัฐ 11.6 ล้านดอลลาร์สหรัฐ ให้ Soulbrain RASA TX LLC สำหรับโรงงานผลิตแห่งแรกในสหรัฐฯ ที่เมืองเทย์เลอร์ รัฐเท็กซัส โครงการนี้มีมูลค่ามากกว่า 120 ล้านดอลลาร์สหรัฐ โดยระยะที่ 1 ตั้งเป้ากรดฟอสฟอริก "high-selectivity, high-purity" 28,800 เมตริกตันต่อปี

ชื่อและสินค้าตรงกับคำอธิบายของ Rasa แต่เอกสารทั้งสองไม่ได้เชื่อมโยงกันอย่างชัดเจน และรายงานทางการค้าฉบับหนึ่งเรียกบริษัทเท็กซัสว่าบริษัทย่อยของ Soulbrain Holdings จึงให้ถือว่าความเชื่อมโยงนี้ยังไม่ยืนยัน หากคุณประเมินแหล่งนี้ ให้ถามว่าใครเป็นเจ้าของโรงงาน และใช้สเปกของใคร

Rasa ไม่ใช่ทางเลือกเดียว ตารางด้านล่างแสดงซัพพลายเออร์รายอื่นที่เรายืนยันได้จากแหล่งสาธารณะ และไม่ใช่รายชื่อตลาดทั้งหมด

ซัพพลายเออร์	ฐานผลิต	สิ่งที่เรายืนยันได้
Rin Kagaku Kogyo	ญี่ปุ่น	เกรด EL (กัดวัสดุอิเล็กทรอนิกส์) และเกรด EL-S (กัดเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์) ผลิตด้วย dry process EL-S มีบรรจุถัง 25 หรือ 30 กก. ถังใหญ่ 300 กก. และรถแท็งก์ 10 ตัน
OCI	เกาหลีใต้	กำลังผลิตต่อปี 25,000 ตัน ระบุเมื่อกันยายน 2024 ว่าเป็นบริษัทเกาหลีรายแรกที่ส่งกรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูงให้ผู้ผลิตชิปเกาหลีทุกราย รวมถึง Samsung Electronics, SK Hynix, SK Keyfoundry และ DB HiTek (คำอ้างของ OCI เอง ตามรายงานของ KED Global)
Soulbrain RASA TX	สหรัฐฯ (เทย์เลอร์ เท็กซัส)	เป้าระยะที่ 1 คือ 28,800 เมตริกตันต่อปี ตามสำนักงานผู้ว่าการรัฐเท็กซัส (มิถุนายน 2026) ประกาศนั้นไม่ได้ระบุวันเปิดโรงงาน

ทำไมผู้ผลิตสารเคมีสร้างโรงงานใกล้ fab

เอกสารของ Rasa พูดถึงความต้องการ แต่แทบไม่อธิบายว่าทำเลสำคัญอย่างไร Mitsubishi Gas Chemical ซึ่งอ้างส่วนแบ่งตลาดโลกราว 50% ของไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์บริสุทธิ์พิเศษ พูดตรงกว่า บริษัทอธิบายว่าการผลิตใกล้จุดใช้งานช่วยให้ตอบสนองลูกค้าได้เร็วและคุมต้นทุนโลจิสติกส์ และยังทำให้ได้ Feedback จากลูกค้าเร็วขึ้นสำหรับสินค้าใหม่

กรดฟอสฟอริกมีเรื่องโลจิสติกส์ของตัวเอง สเปกเกรดอุตสาหกรรมที่ Rasa เผยแพร่ระบุความถ่วงจำเพาะตั้งแต่ 1.58 ขึ้นไป ถึง 1.73 ขึ้นไป กรดเข้มข้นจึงหนักต่อการขนส่ง SDS ที่เราตรวจจัดกรด 85% เป็น UN1805, Class 8, Packing Group III และส่วนใหญ่ระบุจุดเยือกแข็งหรือจุดหลอมเหลวใกล้ 21°C (70°F) จึงควรถามซัพพลายเออร์ว่าป้องกันสินค้าระหว่างขนส่งและในคลังเย็นอย่างไร

โรงงานท้องถิ่นช่วยผู้ซื้อ แต่ไม่ใช่ว่าได้ผลเองโดยอัตโนมัติ รูปที่ 7 วางสิ่งที่น่าจะได้ ไว้เทียบกับสิ่งที่ยังต้องพิสูจน์

รูปที่ 7: การผลิตในท้องถิ่นจากมุมของผู้ซื้อ

ใช้คอลัมน์ซ้ายสร้างเหตุผลทางธุรกิจ และใช้คอลัมน์ขวาวางแผนการรับรอง

สิ่งที่โรงงานท้องถิ่นให้ได้

• ระยะขนส่งสั้นลง ต้นทุนโลจิสติกส์และความเสี่ยงระหว่างทางลดลง
• เพิ่มปริมาณส่งมอบตามการ Ramp หรือไลน์ใหม่ของคุณได้
• ประสานระดับสต็อกและกำหนดส่งมอบได้ใกล้ชิดขึ้น
• ผลจากกระบวนการของคุณถึงซัพพลายเออร์เร็วขึ้น
• เป็นตัวสำรองเมื่อเกิดภัยพิบัติหรือโลจิสติกส์ติดขัด ถ้ารับรองไว้มากกว่าหนึ่งแหล่ง

สิ่งที่ยังต้องพิสูจน์

• สินค้าจากโรงงานใหม่ผ่านการประเมินและรับรองของคุณ
• วัตถุดิบและการวิเคราะห์ความบริสุทธิ์สูงพร้อมในพื้นที่
• โรงงานมีคนที่ผ่านการฝึกและมีเวลาพอจะทำคุณภาพให้เท่าโรงงานเดิม
• ความต้องการในภูมิภาครองรับโรงงานในระยะยาว
• ซัพพลายเออร์รับภาระโรงงานและหนี้ได้ในช่วงตลาดขาลง

ประเด็นทั่วไปที่บรรณาธิการจัดเรียง ไม่ใช่หัวข้อที่ Rasa อ้างในการตัดสินใจ

โรงงานสร้างเสร็จ ไม่เท่ากับส่งมอบได้ตามที่รับรองแล้ว หลังก่อสร้าง ซัพพลายเออร์ยังต้องส่งตัวอย่าง ผ่านการประเมินในกระบวนการของลูกค้า และได้รับอนุมัติใช้อย่างเป็นทางการ ให้ใส่ช่วงเวลานี้ไว้ในแผนจัดหา เพราะวันที่เปิดเผยเป็นเพียงวันที่สร้างเสร็จ

ผู้ผลิตสารเคมีกระบวนการของญี่ปุ่นรายอื่นก็กำลังสร้างหรือซื้อกำลังผลิตในไต้หวันเช่นกัน สารเคมีและการใช้งานต่างกัน จึงอย่าเทียบโครงการเหล่านี้ด้วยขนาด

บริษัท	สารเคมี	การเคลื่อนไหวในไต้หวัน	ช่วงเวลา
Rasa Industries	กรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูง (กัดไนไตรด์)	โรงงานแห่งที่สองของบริษัทย่อยที่ไถจง	ประกาศกันยายน 2026 กำหนดแล้วเสร็จ FY2028
Tokuyama	ไอโซโพรพิลแอลกอฮอล์ (IPA) ความบริสุทธิ์สูง	โรงงานแห่งที่สอง 30,000 ตันต่อปี ที่ Formosa Tokuyama Advanced Chemicals ในเกาสง (กิจการร่วมทุน 50/50 กับ Formosa Plastics)	ประกาศพฤษภาคม 2026 กำหนดเดินเครื่องกันยายน 2028
Mitsubishi Gas Chemical	ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์บริสุทธิ์พิเศษ (ล้าง)	เดินเครื่องโรงงานไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์บริสุทธิ์พิเศษในไต้หวัน	ณ เอกสารนำเสนอเดือนตุลาคม 2024
Sumitomo Chemical	สารเคมีกระบวนการสำหรับเซมิคอนดักเตอร์	ตกลงซื้อหุ้นทั้งหมดของ Asia Union Electronic Chemical Corporation (ไทเป) ซึ่งมีโรงงานในเกาสงและเนวาดา	ประกาศพฤษภาคม 2025 ขึ้นกับการอนุมัติในขณะนั้น

วัฏจักรความต้องการก็สำคัญต่อผู้ซื้อ ยอดขายที่เกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ของ Rasa รวมวัตถุดิบตัวเก็บประจุ สารจับตะกอนสำหรับงานกัด และวัสดุความบริสุทธิ์สูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์แบบสารประกอบ ยอดนี้เปลี่ยนจาก 24.3 พันล้านเยนในปีงบประมาณสิ้นสุดมีนาคม 2023 เป็น 19.6 พันล้านเยนในปีถัดมา แล้วเป็น 24.4 พันล้านเยนในปีสิ้นสุดมีนาคม 2026 (51.1% ของยอดขายรวม)

ให้ถามว่าเมื่อตลาดตึงตัว ซัพพลายเออร์จัดสรร (Allocation) อย่างไร เพราะซัพพลายเออร์ที่พึ่งชิปมากขนาดนี้ เจอวัฏจักรเดียวกับคุณ

ตามที่เราอ่าน สองการเคลื่อนไหวของ Rasa มีจุดประสงค์ต่างกัน ไต้หวันคือเพิ่มอุปทานให้ลูกค้าที่กำลังโต ส่วนโรงงานในสหรัฐฯ ตามการผลิตชิปไปยังภูมิภาคใหม่ ตรรกะเดียวกันใช้กับผู้ซื้อ เพราะการพึ่งภูมิภาคเดียวหรือแหล่งเดียวทำให้ความเสี่ยงกระจุกตัว

เมื่อซัพพลายเออร์ญี่ปุ่นเปิดโรงงานในต่างประเทศ อะไรเปลี่ยนไป

ประเด็นด้านล่างเป็นมุมมองทั่วไปของบรรณาธิการว่าควรตรวจอะไร ไม่ใช่ข้อค้นพบเกี่ยวกับ Rasa การจัดการจริงขึ้นกับข้อตกลงด้านคุณภาพ (Supplier Quality Agreement) ของแต่ละ fab

• ข้อมูลของคุณอาจใช้ต่อไม่ได้ แบรนด์เหมือนเดิม แต่ผลการรับรองของคุณมาจากโรงงานอื่น โรงงานใหม่นับเป็นแหล่งใหม่หรือไม่ ทีมคุณภาพของคุณเป็นผู้ตัดสิน
• อำนาจทางเทคนิคอาจอยู่ที่อื่น โรงงานท้องถิ่นอาจปล่อยล็อต ในขณะที่โรงงานแม่ (maza kojo ภาษาญี่ปุ่น) ในญี่ปุ่นเป็นเจ้าของกระบวนการ ให้ตรวจว่าใครอนุมัติ Deviation ได้ และเร็วแค่ไหน
• เส้นทางวัตถุดิบอาจต่างกัน แต่ละโรงงานอาจเริ่มจากแหล่งฟอสฟอรัสต่างกัน หรืออาจแปรรูปขั้นสุดท้ายจากวัตถุดิบกึ่งสำเร็จที่ผลิตที่อื่น Rasa ไม่ได้เผยแพร่เรื่องนี้ของโรงงานตนเอง
• แล็บอาจให้ผลไม่ตรงกัน สองแล็บทดสอบล็อตเดียวกันใกล้ขีดจำกัดการตรวจวัด อาจรายงานผลต่างกัน จึงควรขอผลเทียบแล็บ (Lab Correlation) ระหว่างโรงงาน
• เอกสารอาจเริ่มเป็นภาษาญี่ปุ่น ให้ถามว่าฉบับภาษาใดมีผลบังคับสำหรับสเปก (kikakusho ภาษาญี่ปุ่น) ใบรับรองผลวิเคราะห์ (shiken seisekisho) และประกาศการเปลี่ยนแปลง
• ระบบอัตโนมัติอาจนับเป็นการเปลี่ยนแปลง Rasa ระบุว่าจะทำเรื่องการผลิตและการจัดส่งอัตโนมัติที่โรงงานใหม่ ให้ถามว่าขั้นบรรจุและจัดส่งต่างจากโรงงานที่คุณรับรองไว้หรือไม่

เรื่องรีไซเคิลอาจเข้ามาในการหารือด้วย กระทรวงเศรษฐกิจ การค้า และอุตสาหกรรมของญี่ปุ่น (METI) รับรองแผนของ Rasa ในเดือนกรกฎาคม 2023 ให้สร้างเทคโนโลยีรีไซเคิลกรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูง ที่ 960 ตันต่อปี และวางแผนส่งมอบตั้งแต่เมษายน 2027 หากมีการเสนอกรดรีไซเคิล ให้ขอให้ระบุแยกต่างหาก และตกลงกับทีมคุณภาพของคุณว่าจะประเมินอย่างไร

นำไปใช้ได้ทันที

เช็กลิสต์: การรับรองแหล่งผลิตใหม่

ใช้รายการนี้เมื่อเริ่มประเมินแหล่งผลิตใหม่ รายการนี้ครอบคลุมสิ่งที่ต้องเก็บรวบรวม ส่วนจำนวนล็อต เวเฟอร์ทดสอบ และเกณฑ์ผ่าน ให้เป็นไปตามแผนการรับรองของ fab ของคุณเอง

• สินค้า: กรดธรรมดาหรือสารกัดสูตรเฉพาะ ชื่อเกรด รหัสสินค้า และเกรด SEMI C36 ที่อ้าง (ถ้ามี)
• โรงงานและความเป็นเจ้าของ: นิติบุคคล ที่อยู่โรงงาน บริษัทแม่หรือพันธมิตรร่วมทุน และผู้ลงนามในข้อตกลงด้านคุณภาพ
• เส้นทางการผลิต: thermal หรือ wet แหล่งฟอสฟอรัส การทำให้บริสุทธิ์ การกรอง และขั้นบรรจุ
• สเปก: Assay และค่าเผื่อ โลหะแยกตามธาตุ แอนไอออน ซิลิคอน อนุภาคแยกตามขนาด พร้อมวิธีทดสอบและ Reporting Limit ของแต่ละรายการ
• ข้อมูลเปรียบเทียบ: ข้อมูลล็อตต่อเนื่องจากโรงงานใหม่เทียบกับโรงงานที่รับรองแล้ว และ Lab Correlation
• การประเมินในกระบวนการ: อัตราการกัดไนไตรด์และออกไซด์ตลอดอายุอ่าง พฤติกรรมซิลิกา และอนุภาคที่เพิ่มขึ้น บน Film Stack ของคุณเอง
• บรรจุภัณฑ์และโลจิสติกส์: ชนิดและวัสดุภาชนะ การล้างภาชนะ อุณหภูมิระหว่างขนส่ง ความเสี่ยงเยือกแข็ง อายุสินค้า และการจัดประเภทอันตรายบนเส้นทางจริง
• การควบคุมการเปลี่ยนแปลง: อะไรเป็นเงื่อนไขให้แจ้ง แจ้งล่วงหน้านานเท่าไร และแจ้งเป็นภาษาอังกฤษหรือไม่
• ความต่อเนื่อง: โรงงานสำรอง สต็อกปลอดภัย และกฎการจัดสรรช่วงขาดแคลน
• สิ่งแวดล้อม สุขภาพ และความปลอดภัย: SDS ฉบับท้องถิ่น ใบอนุญาตท้องถิ่น และวิธีจัดการกรดที่ใช้แล้ว

คำถามสำหรับฝั่งญี่ปุ่น

ส่งคำถามเหล่านี้แต่เนิ่น ๆ ควรก่อนโรงงานสร้างเสร็จ การถามเป็นลายลักษณ์อักษรช่วยได้ เพราะคำตอบอาจต้องผ่านสำนักงานใหญ่ในญี่ปุ่น

• โรงงานใดจะผลิตสินค้าของเรา และสินค้าของโรงงานนั้นผ่านการรับรองที่ fab ใดแล้วหรือยัง (ไม่ต้องระบุชื่อลูกค้า)
• กรดนี้ผลิตด้วย thermal process (kanshiki-ho) หรือ wet process (shisshiki-ho) และทุกโรงงานใช้เส้นทางเดียวกันหรือไม่
• ทุกโรงงานใช้แหล่งฟอสฟอรัสเดียวกัน และขั้นทำให้บริสุทธิ์กับขั้นกรองเหมือนกันหรือไม่
• ขอสเปกที่ควบคุมได้ไหม รวมถึงโลหะแยกตามธาตุ อนุภาคแยกตามขนาด และ Reporting Limit
• สินค้าตรงกับเกรด SEMI C36 หรือไม่ เกรดและ Revision ใด
• โรงงานของคุณทำ Lab Correlation กับล็อตเดียวกันหรือไม่ ขอดูผลได้ไหม
• ตัวอย่างจากโรงงานใหม่พร้อมเมื่อไร และคาดว่าจะส่งมอบปริมาณมากได้เมื่อไรหลังรับรอง
• ขั้นตอนแจ้งการเปลี่ยนแปลงแบบ 4M Change (คน เครื่องจักร วัสดุ วิธีการ) เป็นอย่างไร
• ใครเป็นเจ้าของกระบวนการและอนุมัติ Deviation ได้ โรงงานท้องถิ่นหรือสำนักงานใหญ่ในญี่ปุ่น
• โรงงานใดพัฒนาวิธีทำให้บริสุทธิ์และวิธีวิเคราะห์ และสูตรเคมีรุ่นถัดไปจะประเมินร่วมกับเราที่ไหน
• จะมีการใช้กรดที่เก็บกลับหรือรีไซเคิลในสินค้าของเราหรือไม่

ตัวอย่างอีเมลสอบถาม

ปรับแม่แบบนี้ให้เข้ากับสถานการณ์ของคุณ แทนที่ส่วนในวงเล็บ และตัดสิ่งที่สัญญารักษาความลับ (NDA) ไม่อนุญาตให้เปิดเผยออก อีเมลเขียนเป็นภาษาอังกฤษ เพื่อให้ส่งถึงซัพพลายเออร์ญี่ปุ่นได้ทันที

Subject: High-purity phosphoric acid: evaluation of [site name] for [our site]

Dear [Name],

We use high-purity phosphoric acid for silicon nitride wet etching at our [location] fab, and we would like to evaluate supply from your [site name] plant.

Could you please send the following by [date]?

1. Grade name and controlled specification, including assay, metals by element, particles by size, test methods, and reporting limits
2. Production route and main process steps at this site, and any differences from [currently qualified site]
3. Data from recent consecutive lots, plus lab correlation results between sites
4. Packaging options, transit temperature control, and the shipping route to our site
5. Your change notification procedure and notice period
6. Expected dates for samples and for volume supply after qualification

Our expected volume is about [tons per month] starting around [date]. We can sign an NDA if needed. Please let us know which person in your company handles technical questions in English.

Best regards,
[Name, title, company]

ข้อจำกัดของบทความนี้

• ค่า Selectivity และตัวเลขความอิ่มตัวของซิลิกามาจากสิทธิบัตรและบทคัดย่อการประชุมสำหรับการตั้งค่าเฉพาะ ไม่ใช่ข้อแนะนำสำหรับกระบวนการ
• ขีดจำกัดของเกรดอิเล็กทรอนิกส์ส่วนใหญ่ไม่เผยแพร่ เราไม่ได้อ่านเนื้อหา SEMI C36 ฉบับที่ต้องซื้อ และขีดจำกัดโลหะของสินค้าคุณต้องมาจากซัพพลายเออร์ เราไม่ได้ยืนยันมาตรฐาน มอก. ที่เทียบเท่า
• กรดฟอสฟอริกร้อนเป็นอันตราย บทความนี้ไม่ใช่วิธีการทำงาน ให้ทำตามขั้นตอนของโรงงานและ SDS ของซัพพลายเออร์ และให้ จป. (เจ้าหน้าที่ความปลอดภัยในการทำงาน) หรือฝ่าย EHS ตรวจสอบข้อกำหนดตามกฎหมายของไทย เช่น กฎหมายวัตถุอันตราย และ พ.ร.บ.ความปลอดภัย อาชีวอนามัย และสภาพแวดล้อมในการทำงาน พ.ศ. 2554 เราไม่ได้ตรวจรายละเอียดของกฎหมายเหล่านี้สำหรับสารชนิดนี้
• โรงงานใหม่ต้องรับรองใหม่ทั้งหมดหรือบางส่วน ขึ้นกับ fab Node และข้อตกลงด้านคุณภาพของคุณ
• ข้อมูลบริษัทมาจากเอกสารเปิดเผยที่หาได้ ณ เดือนพฤศจิกายน 2026 การแปลงเป็นดอลลาร์สหรัฐเป็นตัวเลขคร่าว ๆ ไม่ใช่ตัวเลขที่รายงานอย่างเป็นทางการ

คำถามที่พบบ่อย

กรดฟอสฟอริกร้อนใช้ทำอะไรในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ใช้ละลายฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์แบบเลือกเฉพาะ โดยกัดซิลิคอนออกไซด์ช้ากว่ามาก อุณหภูมิอ่างทั่วไปอยู่ที่ประมาณ 160°C (320°F) ใช้เอาหน้ากากไนไตรด์ออกในอุปกรณ์ Logic และ Memory และเอาชั้นไนไตรด์ออกจากโครงสร้าง 3D NAND แม้ชั้นที่สูงขึ้นอาจต้องใช้สูตรเคมีเฉพาะ

กรดฟอสฟอริกเกรดอิเล็กทรอนิกส์ต่างจากเกรดอุตสาหกรรมอย่างไร

ทั้งสองอาจมี Assay ใกล้กัน เช่น 85% ความต่างจึงอยู่ที่การควบคุมสิ่งเจือปน เกรดอุตสาหกรรมที่ Rasa เผยแพร่จำกัดเหล็กที่ 5 ppm หรือน้อยกว่า ส่วนเกรดอิเล็กทรอนิกส์กำหนดขีดจำกัดต่ำกว่าแยกตามธาตุ และควบคุมอนุภาคตามขนาดด้วย เช่นเกรด EL-S ของ Rin อนุญาต 200 ต่อ mL หรือน้อยกว่า ที่ขนาด 0.2 µm ขึ้นไป

ใครผลิตกรดฟอสฟอริกเกรดเซมิคอนดักเตอร์บ้าง

แหล่งข้อมูลสาธารณะแสดง Rasa Industries (ญี่ปุ่น ไต้หวัน และบริษัทในเครือเกาหลี SoulbrainRASA) Rin Kagaku Kogyo (ญี่ปุ่น) OCI (เกาหลีใต้) และ Soulbrain RASA TX (โรงงานที่วางแผนในเท็กซัส) รวมถึงรายอื่น นี่ไม่ใช่รายชื่อครบถ้วน และควรยืนยันเกรดและโรงงานของแต่ละรายกับซัพพลายเออร์โดยตรง

โรงงานแห่งที่สองของ Rasa ในไต้หวันจะเริ่มส่งมอบให้ลูกค้าเมื่อไร

Rasa ยังไม่ได้ระบุ บริษัทวางแผนให้สร้างเสร็จใน FY2028 แต่ไม่ได้เปิดเผยกำลังผลิตหรือเวลาเริ่มส่งมอบหลังลูกค้ารับรอง วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ต้องใช้เวลารับรอง จึงควรคาดว่าจะมีช่วงห่างระหว่างโรงงานสร้างเสร็จกับการส่งมอบที่รับรองแล้ว และให้ขอกำหนดการล่าสุดจากซัพพลายเออร์

กรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูงที่ใช้แล้วรีไซเคิลได้หรือไม่

Rasa กำลังทำอยู่ METI รับรองแผนของบริษัทในเดือนกรกฎาคม 2023 ภายใต้กฎหมายส่งเสริมความมั่นคงทางเศรษฐกิจของญี่ปุ่น ที่ 960 ตันต่อปี และวางแผนส่งมอบตั้งแต่เมษายน 2027 และ Rasa ระบุการนำรีไซเคิลไปใช้จริงไว้ในแผนระยะกลาง

ให้ขอให้ระบุวัสดุรีไซเคิลแยกต่างหาก เพราะต้องประเมินแยกอีกชุดหนึ่ง

แหล่งข้อมูล

• โรงงานใหม่ เหตุผล ยอดขาย RTT อัตราแลกเปลี่ยนเป็นเยน: Rasa Industries เอกสารเปิดเผยเรื่องโรงงานใหม่ของบริษัทย่อย 30 กันยายน 2026 (ภาษาญี่ปุ่น)
• ยอดขาย แผนที่การส่งมอบ การขยายในไต้หวัน ยอดขายที่เกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์: Rasa Industries เอกสารชี้แจงผลประกอบการปีงบประมาณสิ้นสุดมีนาคม 2026 (ภาษาญี่ปุ่น)
• SoulbrainRASA Co., Ltd. สิทธิออกเสียง: Rasa Industries รายงานหลักทรัพย์ประจำปี ยื่นมิถุนายน 2026 (ภาษาญี่ปุ่น)
• เส้นทางการผลิตและสเปกเกรดอุตสาหกรรม: Rasa Industries หน้าสินค้ากรดฟอสฟอริก (ภาษาญี่ปุ่น)
• เกรด EL และ EL-S ขีดจำกัดอนุภาค บรรจุภัณฑ์: Rin Kagaku Kogyo กรดฟอสฟอริกความบริสุทธิ์สูง (ภาษาญี่ปุ่น)
• ขอบเขตและ Revision ปัจจุบัน: SEMI, "SEMI C36 - Specification for Phosphoric Acid"
• การวัดโลหะปริมาณน้อย: Agilent application note, "Determination of Trace Metal Impurities in Semiconductor Grade Phosphoric Acid by High Sensitivity Reaction Cell ICP-MS"
• การกัดทีละแผ่น อุณหภูมิ การควบคุมซิลิคอน: Shibaura Mechatronics, SC300-HT series (ภาษาญี่ปุ่น)
• ภาพรวมกระบวนการหน้า: SCREEN Semiconductor Solutions, กระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ (ภาษาญี่ปุ่น)
• การเอาไนไตรด์ออกใน 3D NAND: Entegris, "Considerations for Improving 3D NAND Performance, Reliability, and Yield" (2018)
• Selectivity เกิน 100:1 พฤติกรรมซิลิกา อุณหภูมิและความไม่สม่ำเสมอ: Bassett, Printz, and Furukawa (Tokyo Electron), บทคัดย่อ 228th ECS Meeting, 2015
• Selectivity 30:1 ที่ 165°C: Garnier et al. (STMicroelectronics), บทคัดย่อ 228th ECS Meeting, 2015
• Selectivity ของอ่างใหม่และอ่างใช้แล้ว การเติมน้ำชดเชย: US Patent 6,699,400
• การควบคุมซิลิคอน ความอิ่มตัวของซิลิกา อนุภาค: US Patent 8,834,671
• การเติมกรดใหม่เพื่อปรับระดับซิลิคอน: US Patent 8,409,997
• ปริมาณซิลิคอนกับอัตราการกัดออกไซด์ คอลลอยด์ซิลิกา: US Patent 10,325,779
• เส้นทาง Thermal และ Wet: The Essential Chemical Industry, "Phosphoric acid"; Wikipedia, "Phosphoric acid"
• การจัดประเภทอันตรายและจุดเยือกแข็ง: Safety data sheet for phosphoric acid solution, University of Illinois; Glentham datasheet
• โครงการเท็กซัส: Office of the Texas Governor, 4 มิถุนายน 2026; Area Development, 11 มิถุนายน 2026
• การส่งมอบและกำลังผลิตของ OCI: KED Global, "OCI supplies ultrapure phosphoric acid to SK Hynix," 2 กันยายน 2024
• การส่งมอบจากทำเลใกล้จุดใช้ ส่วนแบ่งตลาดโลก ตัวอย่าง IRDS: Mitsubishi Gas Chemical เอกสารนำเสนอธุรกิจสารเคมีอิเล็กทรอนิกส์ 2 ตุลาคม 2024 (ภาษาญี่ปุ่น)
• โรงงาน IPA: Tokuyama, ข่าวประชาสัมพันธ์ 20 พฤษภาคม 2026 (ภาษาญี่ปุ่น)
• การซื้อกิจการ AUECC: Sumitomo Chemical, ข่าวประชาสัมพันธ์ 20 พฤศจิกายน 2025 (ภาษาญี่ปุ่น)
• แผนรีไซเคิล: METI, สรุปแผนประกันอุปทานที่ได้รับการรับรอง หมายเลข 16-1 (ภาษาญี่ปุ่น)
• อัตราแลกเปลี่ยนดอลลาร์สหรัฐ: ValutaFX, USD เป็น TWD วันที่ 30 กันยายน 2026