반도체용 인산: 라사공업 대만 제2공장과 고온 인산 식각

공급사에서 이런 연락이 옵니다. 다음 로트의 인산은 대만, 한국, 미국의 새 공장에서 출하할 수 있다는 내용입니다. 제품명과 표시 순도는 그대로입니다. 정작 알아야 할 것은 이 인산이 우리 고온 배스에서도 같은 방식으로 거동하는지, 그리고 그 확인에 평가 작업이 얼마나 드는지입니다.

반도체용 인산은 실리콘 질화막(Si₃N₄)을 제거하면서 실리콘 산화막(SiO₂)은 거의 깎지 않는 식각액입니다. 이 제품에서 세계 점유율 1위라고 밝히는 일본 라사공업(Rasa Industries)은 2026년 9월 30일 대만 타이중에 제2공장을 짓는다고 발표했습니다. 투자액은 약 38억 대만달러(NT$)로, 약 188억 엔, 미화 약 1억 1,900만 달러입니다.

이 글은 식각 화학, 전자 등급과 공업 등급의 차이, 라사와 다른 공급사의 생산 거점을 차례로 다룹니다. 이어서 새 생산지를 승인하기 전에 구매·평가 담당자가 무엇을 확인해야 하는지 봅니다. 후반부에는 체크리스트, 일본 측에 보낼 질문 목록, 문의 메일 문안이 있습니다.

목차

1. 고온 인산은 팹에서 무엇을 하는가
2. 공업 등급과 전자 등급: 함량은 순도가 아니다
3. 라사공업의 발표 내용
4. 인산은 어디서 만드는가: 일본, 대만, 한국, 미국
5. 약액 업체는 왜 팹 가까이에 짓는가
6. 일본 공급사가 해외에 공장을 열면 무엇이 달라지는가
7. 한국의 구매·평가 담당자가 추가로 볼 점
8. 체크리스트: 새 공급 거점 승인
9. 일본 측에 보낼 질문
10. 이 글의 한계
11. 자주 묻는 질문
12. 출처

고온 인산은 팹에서 무엇을 하는가

전공정(마에코테이, 前工程)에서는 막을 입히고, 패턴을 만들고, 식각하고, 세정하는 순서를 여러 번 반복합니다. 고순도 인산은 이 중 액체로 막을 녹여 없애는 습식 식각(웨트 에칭)에 쓰입니다. 라사는 자사 제품을 로직과 메모리(낸드, D램) 제조의 전공정 습식 식각용 약액이라고 설명합니다.

실리콘 질화막은 단단하고 약품에 강해서 하부 층을 보호하는 마스크나 절연·보호막으로 쓰입니다. 역할을 마친 질화막을 제거할 때는 약 160°C(320°F)로 가열한 인산에 웨이퍼를 담그는 방식이 대표적입니다. 결과는 그림 1과 같습니다.

그림 1: 고온 인산에 의한 질화막 선택 식각(모식도)

목표는 실리콘 질화막만 제거하고, 그 아래 산화막은 거의 그대로 남기는 것입니다.

실리콘 질화막(제거 대상)실리콘 산화막(남길 막)실리콘 기판

크게 단순화한 모식도입니다. 막 두께와 형상은 공정마다 다르며, 산화막도 소량은 식각됩니다.

건식 식각과 습식 식각은 이 반복 공정 안에서 별개의 단계입니다. 그림 2는 인산 공정이 어디에 놓이는지 보여 주므로, 팹 밖의 구매·물류 담당자와 이야기할 때 도움이 됩니다.

그림 2: 전공정 반복 흐름에서 인산의 위치

성막, 패터닝, 식각, 세정이 수십 번 반복됩니다. 인산은 이 중 식각의 일부를 맡습니다.

패턴을 만든다

01성막웨이퍼 위에 산화막, 질화막, 금속막 등을 입힌다

02리소그래피레지스트에 회로 패턴을 새긴다

03건식 식각가스나 플라즈마로 패턴을 따라 막을 제거한다

제거하고 깨끗이 한다

04습식 식각약액으로 막을 녹인다. 질화막 제거에 고온 인산을 쓴다

05세정파티클, 금속, 유기물을 약액으로 제거한다

06다음 층필요에 따라 도핑이나 평탄화를 거친 뒤 다시 성막부터 반복한다

공정 순서와 횟수는 디바이스마다 다릅니다. SCREEN세미컨덕터솔루션즈의 공정 해설을 바탕으로 편집부가 단순화했습니다.

선택비: 질화막 식각 속도와 산화막 식각 속도의 비

선택비는 질화막 식각 속도를 산화막 식각 속도로 나눈 값입니다. 예를 들어 50:1이면 산화막 1 nm가 깎이는 동안 질화막은 50 nm가 제거됩니다. 공개된 수치는 막의 종류, 온도, 배스 상태에 따라 크게 다릅니다.

아래 예는 각각 특정 조건에서 나온 값입니다. 배경 지식으로만 보시고, 목표값이나 사양으로 쓰지 마십시오.

• 약 24:1에서 50:1 이상으로 상승: 약 165°C 공정을 설명한 미국 특허에서, 새 배스와 질화막 웨이퍼 약 1,000장을 처리한 뒤의 같은 배스를 비교한 값
• 30:1: 28 nm 스페이서 제거 공정에서 85% 인산을 165°C로 쓴 경우(STMicroelectronics, 2015)
• 100:1 초과: 3D 낸드용으로 적절히 조정한 고온 배스(Tokyo Electron, 2015)

새 배스와 사용한 배스의 차이가 기억할 점입니다. 구매한 인산은 출발 조건을 정할 뿐이고, 그 뒤는 장비와 배스 관리가 결정합니다.

실리콘 농도: 좁은 적정 범위

배스에 녹아 있는 실리콘은 산화막 식각을 늦춥니다. 실리콘이 많을수록 산화막 식각 속도는 낮아집니다. 질화막을 식각하면 실리콘 부산물이 인산에 쌓이고, 배스에는 보통 실리카도 미리 넣어 두기 때문에 사용한 배스가 새 배스보다 선택비가 높을 수 있습니다.

같은 실리콘이 가장 큰 위험이기도 합니다. 일정 수준을 넘으면 용액에서 실리카로 석출됩니다. 한 미국 특허는 165°C에서 포화 농도를 약 120 ppm으로 보고, 석출된 실리카를 수율을 해치는 주요 파티클 발생원으로 설명합니다.

그림 3이 이 균형을 보여 줍니다.

그림 3: 실리콘 농도의 트레이드오프(개념도)

실리콘은 석출이 시작되기 전까지는 선택비에 도움이 됩니다. 배스는 두 한계 사이에 있어야 합니다.

너무 낮음산화막 손실 증가산화막이 더 빨리 식각되어 선택비가 떨어진다

적정 범위안정적인 식각질화막은 식각되고 산화막 식각 속도는 낮게 유지된다

너무 높음실리카 석출노출된 산화막 위에 실리카가 자라 파티클이 늘어난다

적정 범위는 장비, 온도, 막, 약액 조성에 따라 달라지므로 수치는 싣지 않았습니다. 공정 담당자가 정합니다.

장비 업체는 이 범위를 전제로 설계합니다. 시바우라메카트로닉스(Shibaura Mechatronics)는 매엽식 장비 SC300-HT가 인산을 160°C 이상으로 유지하고 실리콘 농도를 제어해 높은 선택성을 얻는다고 설명합니다. 특허에는 새 고온 인산을 보충해 실리콘 농도를 되돌리는 방법과, 증발한 만큼 탈이온수를 보충하는 방법도 나옵니다.

그래서 깨끗한 시험성적서(CoA) 하나로 판단이 끝나지 않습니다. 인산은 가열되고 장비에서 반복 사용된 뒤에도 안정적으로 작동해야 하므로, 새 공급원은 실제 공정에서 평가해야 합니다.

3D 낸드: 옆에서 질화막을 제거한다

3D 낸드 적층 구조는 산화막과 질화막이 번갈아 쌓여 있고, 질화막은 나중에 옆방향으로 제거됩니다. 적층의 위아래와 웨이퍼 전체에서 균일하게, 산화막은 건드리지 않고 제거해야 합니다. Entegris는 2018년 백서에서 종횡비가 약 50:1에 이르면 이 공정이 습식 식각의 과제가 된다고 설명했습니다.

이 백서에 따르면 96층 미만까지는 약 160°C의 고온 인산을 썼고, 96층 이상에서는 공정 여유를 확보하기 위해 조성을 설계한 전용 약액이 필요합니다. Entegris는 조성 약액을 판매하는 회사이므로 공급사의 시각으로 읽고, 자사 노드가 실제로 무엇을 쓰는지 확인하십시오.

여기서도 실리카가 문제입니다. 특허에는 노출된 산화막 위에 콜로이드 실리카가 자라 질화막 제거를 방해한다는 설명이 있습니다. Tokyo Electron 연구진은 웨이퍼 내·웨이퍼 간 불균일의 주된 원인을 배스 안의 온도 차이로 봤습니다.

그러므로 먼저 일반 전자 등급 인산을 사는 것인지, 조성을 설계한 식각액을 사는 것인지 구분하십시오. 두 경우는 던져야 할 질문이 다릅니다.

공업 등급과 전자 등급: 함량은 순도가 아니다

함량(ganryo)은 액체 안에 H₃PO₄가 몇 % 들어 있는지를 나타냅니다. 공업용 인산도 보통 85% 안팎이므로, 함량이 높다는 사실만으로는 팹에 적합한지 알 수 없습니다. 반도체용에서 더 엄격하게 묻는 것은 철, 나트륨 같은 금속이 얼마나 적은지와 파티클이 얼마나 적은지입니다.

그림 4는 일본 두 회사가 공개한 사례로 두 등급을 비교합니다.

그림 4: 공업용 인산과 반도체용 인산의 차이

둘 다 H3PO4이지만, 구매자가 확인하는 항목과 관리 수준이 크게 다릅니다.

공업용·식품용

반도체용(전자 등급)

주요 용도

인산염 원료, 금속 표면 처리, 알루미늄 화학 연마, 식품 첨가물 등

전공정 습식 식각(질화막 제거)

함량

75%, 85%, 89% 이상 등의 품종(라사)

함량 관리에 더해 편차가 작은 것이 중시됨. 값과 허용 범위는 공급사에 확인

금속 불순물

ppm 단위. 철 5 ppm 이하, 비소 0.5 ppm 이하(라사)

더 낮은 수준을 원소별로 설정. 한계값은 공급사에 확인

파티클

라사가 공개한 공업용 규격에는 파티클 항목 없음

입자 크기별로 개수를 규정. 린카가쿠 EL-S: 0.2 µm 이상 200개/mL 이하

품질 확인 방법

규격서와 출하 검사

출하 검사에 더해 고객 공정에서의 평가·승인

수치는 라사(공업 등급)와 린카가쿠공업(Rin Kagaku Kogyo, EL-S)이 공개한 개별 제품의 규격 예이며, 업계 공통 기준이 아닙니다.

ppm에서 ppt로

전자 등급에 대해 공개된 수치는 많지 않습니다. 린카가쿠공업은 최상위 EL-S 등급의 파티클 한계(0.2 µm에서 200개/mL, 0.3 µm에서 70개/mL, 0.5 µm에서 20개/mL)를 공개하고, 그 밖의 문의는 영업 부서로 안내합니다. 실제로 효력이 있는 문서는 자사 팹의 규격과 공급사의 관리 규격입니다.

SEMI C36(현행 개정판 C36-1121)은 반도체 제조에 쓰이는 인산 등급에 대한 SEMI 규격이며, 시험 방법은 SEMI C1의 검증 요건을 충족해야 합니다. 유료 문서라 한계값은 싣지 않았습니다. 공급사 제품이 어느 등급과 개정판을 충족하는지, 충족한다면 그 근거를 물어보십시오.

한국의 KS 규격 중 반도체용 인산과 직접 대응하는 것은 이번 조사에서 확인하지 못했습니다. 반도체용 약액의 등급은 SEMI 규격이나 고객사 자체 규격으로 정하는 경우가 일반적인 것으로 보이므로, 공급사에 어떤 규격을 기준으로 하는지 확인하는 편이 안전합니다.

방향을 가늠하려면 다른 약액을 보면 됩니다. 미쓰비시가스화학은 2022년판 IRDS(International Roadmap for Devices and Systems)를 인용해 30% 과산화수소에 대한 요구를 소개합니다.

이 로드맵은 금속 하나하나에 대해 2021년 10 ppt(parts per trillion)에서 2024년부터 5 ppt로, 20 nm 입자는 2027년까지 500개/mL에서 200개/mL로 요구 수준을 높입니다. 인산의 한계값은 아닙니다.

측정 방법도 규격의 일부입니다. 85% 반도체 등급 인산의 미량 금속은 유도결합 플라스마 질량분석(ICP-MS)으로 측정할 수 있고, Agilent의 응용 노트는 인산을 약 100배 희석해 측정한 ppt 수준의 검출 한계를 보고합니다. 실험실마다 보고 한계가 다르므로 "X 미만"이라는 결과는 그 한계를 알아야 의미가 있습니다.

건식법과 습식법

일본 문서의 건식법(kanshiki-ho)은 영어 자료에서 보통 thermal process라고 부르는 방식입니다. 황린을 태워 오산화인을 만들고 이를 물과 반응시킵니다. 습식법(shisshiki-ho)은 인광석을 황산 등으로 분해하는 방식입니다.

라사는 황린을 거치는 제조 경로를 쓴다고 하고, 린카가쿠공업은 전자 등급을 불순물이 적은 건식법으로 만든다고 설명합니다. 습식법 인산은 인광석 유래의 불순물이 더 많은 상태에서 출발하지만 추가 정제가 가능하므로, 제조 경로만으로 제품의 적합 여부가 갈리지는 않습니다. 그래도 경로가 바뀌었을 때 알 수 있도록 기록해 두십시오.

라사공업의 발표 내용

1913년에 창업한 라사공업은 인 화학품, 화합물 반도체용 고순도 소재, 파쇄기 등 기계를 만듭니다. 2026년 3월기(2025년 4월~2026년 3월, 일본어로 sangatsu-ki) 연결 매출은 477억 엔(약 3억 300만 달러)이었고, 이 중 고순도 인산이 168억 엔으로 35.2%를 차지했습니다. 세계 점유율 1위는 라사의 자체 주장이며 저희가 독자적으로 검증하지는 않았습니다.

그림 5는 발표 내용을 정리한 것입니다. 이 글의 미화 금액은 모두 그림 주석의 환율로 저희가 대략 환산한 값입니다.

그림 5: 대만 제2공장 수치로 보기

기존 공장 증설분은 2026년 4월에 가동을 시작했습니다. 새 공장은 그다음 단계입니다.

총 투자액NT$38억약 188억 엔, 약 1억 1,900만 달러

부지 면적17,200 m²약 185,000 sq ft, 임차 토지

준공 예정2028 회계연도제1공장과 같은 산업단지

자회사 매출2.1배5년간(2020년→2025년)

Rasa Technology Taiwan의 투자 단계

1단계기존 공장 증설약 30억 엔(약 1,900만 달러). 대만 생산능력 40% 증가. 2026년 4월 가동 시작

2단계제2공장약 188억 엔. 생산·출하 자동화도 추진. 2028 회계연도 준공 예정

미공개생산능력·시기새 공장의 생산능력, 고객 승인을 거친 공급 개시 시기

출처: 라사의 2026년 9월 30일 공시와 2026년 3월기 결산 설명 자료. 엔화 값은 라사가 쓴 환율 NT$1 = 4.94엔(2026년 9월 30일)을 따랐습니다. 달러 값은 같은 날 중간 환율 NT$31.89 = US$1로 저희가 환산한 것이며, 약 157.5엔 = 1달러에 해당합니다.

공장을 짓는 곳은 2003년 12월에 설립된 라사의 100% 자회사 Rasa Technology Taiwan Ltd.(RTT, 理盛精密科技)입니다. 소재지는 타이중시 우치구입니다.

제2공장은 제1공장과 같은 산업단지인 타이중항 과기산업원구(臺中港科技產業園區, 영문명은 자료마다 다름)에 들어섭니다. 자금은 자기 자금과 차입금으로 조달합니다.

라사가 밝힌 투자 이유는 세 가지입니다.

• 대만은 선단 로직을 중심으로 한 세계 유수의 반도체 생산 거점이다.
• 생성형 AI와 데이터센터로 반도체 수요 확대가 계속될 것으로 전망된다.
• 대만에서도 고순도 인산 증산 수요가 한층 강해지고 있다.

RTT의 매출은 2020년 12억 3,200만 NT$에서 2025년 25억 9,200만 NT$로 늘었습니다. 이 수치에는 가격과 제품 구성의 영향이 포함되어 있으므로 물량 증가로 읽어서는 안 됩니다. 라사는 2027년 3월기 실적에 미치는 영향도 경미하다고 보고 있어, 이 공장이 단기 공급에 영향을 주는 사건은 아닙니다.

공시에는 생산능력, 고객, 승인 후 첫 공급 시기가 나와 있지 않습니다. "2028 회계연도"도 월과 연결되어 있지 않습니다. 라사의 회계연도는 3월 결산이고 RTT는 12월 결산이므로 어느 기준인지 확인하십시오.

인산은 어디서 만드는가: 일본, 대만, 한국, 미국

라사는 품질에 더해 현지 생산·현지 판매를 강점으로 꼽습니다. 그림 6은 2026년 6월 투자자 설명 자료에 나온 공급 지도입니다.

그림 6: 라사 그룹의 고순도 인산 공장과 주요 공급처

공장은 팹이 모여 있는 지역에 있고, 주로 그 지역의 고객에게 공급합니다.

공장

주요 공급처

일본

오사카 공장

일본 반도체 업체, 일본에서 생산하는 대만계·미국계 업체

대만

RTT, 연결 자회사(2026년 4월 생산능력 40% 증가, 2028 회계연도 제2공장)

대만 반도체 업체, 대만에서 생산하는 미국계 업체

한국

한국 합작회사(지분법 적용 관계사)

한국 반도체 업체

미국

한국 합작회사의 미국 신공장(2027년 상반기 완공 예정)

북미에서 생산하는 대만계·한국계·미국 업체

출처: 라사의 2026년 3월기 결산 설명 자료. 이 자료는 중국에서 생산하는 중국·한국계·대만계 업체도 시장으로 보여 주지만, 4개국 생산 체제 계획에는 중국 공장이 포함되어 있지 않습니다.

라사의 유가증권보고서(yuka shoken hokokusho)는 한국 관계사를 충청남도 공주시의 SoulbrainRASA Co., Ltd.(솔브레인라사)로 적고, 라사의 의결권 비율을 39.0%로 밝힙니다. 라사는 이 회사를 연결하지 않으므로, 라사의 품질 체계 아래에서 운영된다거나 라사가 이 공장의 데이터를 책임지고 답할 수 있다고 단정하지 마십시오.

라사의 설명 자료는 미국 공장의 이름을 밝히지 않습니다. 2026년 6월 텍사스 주지사실은 Soulbrain RASA TX LLC가 텍사스주 테일러에 짓는 첫 미국 생산 시설에 주 보조금 1,160만 달러를 지급한다고 발표했습니다. 사업 규모는 1억 2,000만 달러 이상이고, 1단계 목표는 "고선택비·고순도" 인산 연 28,800 미터톤입니다.

회사 이름과 제품은 라사의 설명과 맞지만 두 문서 어디에도 둘을 명시적으로 연결하는 내용은 없습니다. 무역 보도 한 곳은 이 텍사스 회사를 Soulbrain Holdings의 자회사로 소개하고, 한국 언론(thebell, 2025년 2월)은 솔브레인라사 TX LLC를 솔브레인의 손자회사로 소개했습니다. 따라서 라사와의 관계는 미확인으로 두십시오. 이 공급원을 평가한다면 공장의 소유 구조와 어느 쪽 규격이 적용되는지 물어보십시오.

선택지는 라사만이 아닙니다. 아래 표는 공개 자료로 확인할 수 있었던 다른 공급사이며 시장 전체의 목록은 아닙니다.

공급사	거점	확인할 수 있었던 내용
린카가쿠공업(Rin Kagaku Kogyo)	일본	EL 등급(전자 재료 식각용)과 EL-S 등급(반도체 웨이퍼 식각용)을 건식법으로 제조. EL-S는 25 kg 또는 30 kg 캔, 300 kg 드럼, 10톤 탱크로리로 공급
OCI(오씨아이)	한국	연간 생산능력 25,000톤. 2024년 9월 삼성전자, SK하이닉스, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 반도체 업체 전체에 고순도 인산을 공급하는 첫 한국 기업이라고 밝힘(OCI의 자체 주장, KED Global 보도)
Soulbrain RASA TX	미국(텍사스주 테일러)	텍사스 주지사실(2026년 6월)에 따르면 1단계 목표는 연 28,800 미터톤. 해당 발표에 가동 시기는 없음

약액 업체는 왜 팹 가까이에 짓는가

라사의 공시는 수요를 이유로 들 뿐 입지가 왜 중요한지는 거의 설명하지 않습니다. 초순수 과산화수소 세계 시장의 약 50%를 차지한다는 미쓰비시가스화학은 더 직접적입니다. 소비지 인근 생산을 고객 요구에 빠르게 대응하고 물류비를 억제하는 방법으로 설명하며, 가까이 있으면 신제품에 대한 고객 피드백도 빨라진다고 말합니다.

인산에는 인산 특유의 물류 문제가 있습니다. 라사가 공개한 공업 등급은 비중이 1.58 이상에서 1.73 이상까지로 표기되어, 농축 인산은 운반하기 무겁습니다. 저희가 확인한 안전 데이터 시트(SDS, 국내에서는 물질안전보건자료)는 85% 인산을 UN1805, Class 8, 포장 등급 III로 분류하고 대부분 어는점(또는 녹는점)을 약 21°C(70°F)로 적으므로, 운송 중과 저온 보관 중에 제품을 어떻게 보호하는지 공급사에 물어보십시오.

현지 공장이 구매자에게 도움이 되기는 하지만 자동은 아닙니다. 그림 7은 기대할 수 있는 이점과 아직 입증해야 할 것을 나란히 놓았습니다.

그림 7: 구매자 입장에서 본 현지 생산

왼쪽 열은 사업 타당성을 세울 때, 오른쪽 열은 평가·승인 계획을 짤 때 쓰십시오.

현지 공장이 줄 수 있는 것

• 운송 거리가 짧아 물류비와 운송 중 위험이 줄어든다
• 램프업이나 신규 라인에 맞춰 공급을 늘리기 쉽다
• 재고 수준과 납기를 더 가까이서 조율할 수 있다
• 공정 결과와 공급사 사이의 피드백이 빨라진다
• 두 곳 이상이 승인되어 있다면 재해나 물류 차질에 대한 대비가 된다

아직 입증해야 할 것

• 새 공장 제품이 자사의 평가·승인을 통과하는가
• 원료 조달과 고순도 분석 체계가 현지에 갖춰져 있는가
• 기존 공장과 같은 품질을 낼 인력과 시간이 있는가
• 지역 수요가 공장을 장기간 뒷받침하는가
• 공급사가 불황기에도 공장과 차입금을 감당할 수 있는가

편집부가 일반적인 논점을 정리한 것입니다. 라사가 이번 결정의 이유로 든 항목이 아닙니다.

공장 준공이 곧 승인된 공급은 아닙니다. 건설이 끝난 뒤에도 공급사는 샘플을 내고, 고객 공정에서 평가를 통과하고, 정식 채택을 받아야 합니다. 공시된 날짜는 준공만 가리키므로 조달 계획에 이 간격을 넣어 두십시오.

다른 일본 공정 약액 업체도 대만에서 생산 능력을 짓거나 사들이고 있습니다. 약액과 용도가 달라 프로젝트 규모를 단순 비교하면 안 됩니다.

회사	약액	대만에서의 움직임	시기
라사공업	고순도 인산(질화막 식각)	타이중 자회사의 제2공장	2026년 9월 발표, 2028 회계연도 준공 예정
도쿠야마(Tokuyama)	고순도 이소프로필알코올(IPA)	가오슝의 Formosa Tokuyama Advanced Chemicals(포모사플라스틱과의 50:50 합작)에 연 30,000톤 제2공장	2026년 5월 발표, 2028년 9월 가동 예정
미쓰비시가스화학	초순수 과산화수소(세정)	대만에서 초순수 과산화수소 공장 운영	2024년 10월 설명 자료 기준
스미토모화학	반도체 공정 약액	가오슝과 네바다에 공장을 둔 Asia Union Electronic Chemical Corporation(타이베이) 전주식 인수에 합의	2025년 11월 발표, 당시에는 승인 절차 필요

수요 사이클도 구매자에게 중요합니다. 라사의 반도체 관련 매출에는 커패시터용 원료, 식각용 응집제, 화합물 반도체용 고순도 소재가 포함됩니다. 이 매출은 2023년 3월기 243억 엔에서 이듬해 196억 엔으로 줄었다가, 2026년 3월기에는 244억 엔(전체 매출의 51.1%)이 됐습니다.

시장이 타이트해질 때 물량을 어떻게 배분하는지 물어보십시오. 반도체 비중이 이렇게 큰 공급사는 구매자와 같은 사이클을 겪습니다.

저희 해석으로 라사의 두 움직임은 목적이 다릅니다. 대만은 성장하는 고객을 위한 공급 추가이고, 미국 공장은 반도체 생산을 따라 새 지역으로 가는 것입니다. 구매자에게도 같은 논리가 적용되어, 한 지역이나 한 공장에 의존하면 위험이 한곳에 모입니다.

일본 공급사가 해외에 공장을 열면 무엇이 달라지는가

아래 항목은 무엇을 살펴볼지에 대한 일반적인 편집 시각이며, 라사에 대해 확인된 사실이 아닙니다. 실제 처리는 각 팹의 공급사 품질 협약에 따릅니다.

• 데이터가 이어지지 않을 수 있습니다. 브랜드는 같아도 지금까지의 승인 결과는 다른 공장에서 나온 것입니다. 새 공장을 새 공급원으로 볼지는 품질 부서가 판단할 일입니다.
• 기술 결정권이 다른 곳에 있을 수 있습니다. 현지 공장이 로트를 출하해도 일본의 마더 공장(maza kojo)이 공정을 쥐고 있을 수 있습니다. 편차 승인은 누가 할 수 있고 얼마나 걸리는지 확인하십시오.
• 원료 경로가 다를 수 있습니다. 공장마다 인 원료가 다르거나, 다른 곳에서 만든 중간 제품을 마무리만 할 수도 있습니다. 라사는 공장별로 이를 공개하지 않았습니다.
• 실험실끼리 결과가 어긋날 수 있습니다. 같은 로트를 검출 한계 근처에서 시험하면 실험실마다 다른 결과가 나올 수 있으므로, 공장 간 실험실 상관(correlation) 자료를 요청하십시오.
• 문서가 일본어로 시작될 수 있습니다. 규격서(kikakusho), 시험성적서(shiken seisekisho), 변경 통보서 중 어느 언어판이 우선하는지 확인하십시오.
• 자동화도 변경으로 볼 수 있습니다. 라사는 새 공장에서 생산과 출하의 자동화를 추진한다고 밝혔습니다. 충전과 출하 공정이 승인받은 공장과 다른지 물어보십시오.

재활용 이야기도 나올 수 있습니다. 일본 경제산업성(METI)은 2023년 7월 라사의 고순도 인산 재활용 기술 확립 계획을 인정했으며, 계획은 연 960톤, 2027년 4월부터 공급을 예정합니다. 재활용 인산이 제안되면 별도로 식별해 달라고 요청하고, 평가 방법은 품질 부서와 미리 정해 두십시오.

한국의 구매·평가 담당자가 추가로 볼 점

한국에서 쓰는 인산은 일본, 대만, 한국, 미국 어느 공장에서 오든 같은 질문으로 확인할 수 있지만, 한국 독자에게 해당하는 항목이 몇 가지 더 있습니다.

• 한국 관계사의 위치: 솔브레인라사는 라사의 지분법 적용 관계사(의결권 39.0%)입니다. 일본 공급사의 품질 협약과 한국 공장의 협약이 같은 범위인지 확인하십시오.
• 수출관리: 2019년 7월 일본이 수출관리를 강화한 품목은 포토레지스트, 에칭 가스(고순도 불화수소), 불소 폴리이미드였고 인산은 이 세 품목에 들어 있지 않았습니다. 2023년에는 일본이 한국을 그룹 A(화이트리스트)로 되돌렸습니다. 다만 개별 제품의 허가 필요 여부는 공급사의 해당 여부 판정(gaihi hantei)과 현재 제도에 따르므로 공급사에 확인하십시오.
• 규격과 국내 규정: KS 규격과의 직접 대응은 확인하지 못했습니다. 한국으로 들여올 때의 물질안전보건자료(MSDS)와 화학물질 관련 신고는 별도로 확인하십시오.

체크리스트: 새 공급 거점 승인

새 거점의 평가를 시작할 때 이 목록을 쓰십시오. 무엇을 모을지를 다루며, 로트 수, 테스트 웨이퍼, 합격 기준은 각 팹의 승인 계획이 정합니다.

• 제품: 일반 인산인지 조성 설계된 식각액인지, 등급명, 제품 코드, 공급사가 주장하는 SEMI C36 등급
• 공장과 소유 구조: 법인, 공장 주소, 모회사 또는 합작 파트너, 품질 협약에 서명하는 주체
• 제조 경로: 건식법(열법)인지 습식법인지, 인 원료, 정제·여과·충전 공정
• 규격: 함량과 허용 범위, 원소별 금속, 음이온, 실리콘, 입자 크기별 파티클, 각 항목의 시험 방법과 보고 한계
• 비교 데이터: 새 공장의 연속 로트 데이터와 승인된 공장의 데이터, 실험실 상관 자료
• 공정 내 평가: 자사 막 구조에서 배스 수명에 따른 질화막·산화막 식각 속도, 실리카 거동, 파티클 증가량
• 포장과 물류: 용기 종류와 재질, 용기 세정, 운송 온도, 동결 위험, 유통기한, 실제 경로 기준의 위험물 분류
• 변경 관리: 무엇이 통보 대상인지, 통보 시점은 언제인지, 영어 통보가 가능한지
• 연속성: 백업 공장, 안전 재고, 부족 시 배분 규칙
• 환경·보건·안전: 현지 물질안전보건자료, 현지 허가, 사용 후 인산 처리 방법

일본 측에 보낼 질문

가능하면 공장이 완성되기 전에 일찍 보내십시오. 답변이 일본 본사를 거쳐야 할 수 있으므로 서면으로 묻는 편이 좋습니다.

• 우리 제품은 어느 공장에서 만들며, 그 공장 제품은 이미 어느 팹에서든 승인을 받았습니까? (고객사 이름은 필요 없습니다.)
• 이 인산은 건식법(kanshiki-ho)과 습식법(shisshiki-ho) 중 어느 쪽으로 만듭니까? 모든 공장이 같은 경로입니까?
• 모든 공장이 같은 인 원료와 같은 정제·여과 공정을 씁니까?
• 원소별 금속, 입자 크기별 파티클, 보고 한계를 포함한 관리 규격을 공유해 주실 수 있습니까?
• 제품이 SEMI C36 등급을 충족합니까? 어느 등급과 개정판입니까?
• 공장 간에 같은 로트로 실험실 상관을 확인했습니까? 결과를 볼 수 있습니까?
• 새 공장의 샘플은 언제 받을 수 있고, 승인 후 양산 공급은 언제로 예상합니까?
• 4M(사람·설비·재료·방법) 변경 통보는 어떤 절차로 진행됩니까?
• 공정을 소유하고 편차를 승인할 수 있는 곳은 현지 공장입니까, 일본 본사입니까?
• 정제와 분석 방법은 어느 공장에서 개발하며, 차세대 약액은 어디서 우리와 함께 평가합니까?
• 회수·재활용 인산이 우리 제품에 쓰입니까?

문의 메일 문안

상황에 맞게 고쳐 쓰십시오. 대괄호 안을 바꾸고, 비밀유지계약상 공유할 수 없는 내용은 빼십시오. 필요하면 영어나 일본어로 옮겨서 보내십시오.

제목: 고순도 인산: [당사 사업장]용 [공장명] 평가 요청

[성함] 님께

당사는 [소재지] 팹에서 실리콘 질화막 습식 식각에 고순도 인산을 사용하고 있으며, 귀사의 [공장명] 공장에서 생산하는 제품의 공급을 평가하고자 합니다.

아래 자료를 [날짜]까지 보내 주실 수 있겠습니까?

1. 등급명과 관리 규격(함량, 원소별 금속, 입자 크기별 파티클, 시험 방법, 보고 한계 포함)
2. 이 공장의 제조 경로와 주요 공정, [현재 승인된 공장]과의 차이
3. 최근 연속 로트 데이터와 공장 간 실험실 상관 결과
4. 포장 옵션, 운송 중 온도 관리, 당사까지의 출하 경로
5. 변경 통보 절차와 통보 기간
6. 샘플 제공 예정일과 승인 후 양산 공급 예정일

예상 물량은 [월 톤 수]이며, [날짜] 무렵부터 시작할 계획입니다. 필요하시면 비밀유지계약을 체결하겠습니다. 영어로 기술 문의에 대응해 주실 담당자를 알려 주시기 바랍니다.

감사합니다.
[이름, 직함, 회사명]

이 글의 한계

• 선택비 값과 실리카 포화 수치는 특정 조건의 특허와 학회 초록에서 나온 것이며, 공정 권장값이 아닙니다.
• 전자 등급의 한계값은 대부분 비공개입니다. SEMI C36의 유료 본문은 확인하지 않았으며, 제품의 금속 한계는 공급사에서 받아야 합니다.
• 고온 인산은 위험한 물질입니다. 이 글은 작업 지시서가 아니므로 각 사업장의 절차와 공급사의 안전 데이터 시트를 따르십시오.
• 새 공장에 전면 재승인이 필요한지 부분 재승인이면 되는지는 팹, 노드, 품질 협약에 따라 다릅니다.
• 기업 정보는 2026년 11월 시점에 확인할 수 있었던 공시를 기준으로 합니다. 달러 환산은 보고된 수치가 아니라 대략적인 참고값입니다.
• KS 규격과의 대응과 일본 수출관리 관련 설명은 이 글의 조사 범위에서 충분히 확인하지 못했습니다. 중요한 판단 전에 공급사와 관계 기관에 확인하십시오.

자주 묻는 질문

반도체 제조에서 고온 인산은 무엇에 쓰나요?

실리콘 질화막을 선택적으로 제거하며, 실리콘 산화막은 훨씬 느리게 식각합니다. 일반적인 배스 온도는 약 160°C(320°F)입니다. 로직과 메모리 소자의 질화막 마스크 제거, 3D 낸드 적층의 질화막 제거에 쓰이지만, 층수가 높은 경우에는 조성을 설계한 약액이 필요할 수 있습니다.

전자 등급 인산과 공업용 인산은 무엇이 다른가요?

둘 다 85%처럼 함량이 비슷할 수 있으므로 차이는 불순물 관리에 있습니다. 라사가 공개한 공업 등급은 철을 5 ppm 이하로 제한하는 반면, 전자 등급은 원소별로 더 낮은 한계를 정하고 파티클도 크기별로 관리합니다. 린카가쿠공업의 EL-S 등급은 0.2 µm 이상 입자를 200개/mL 이하로 허용하는 것이 한 예입니다.

반도체용 인산은 누가 만드나요?

공개 자료로는 라사공업(일본, 대만, 한국 관계사 솔브레인라사), 린카가쿠공업(일본), OCI(한국), Soulbrain RASA TX(텍사스 계획 공장) 등이 확인됩니다. 완전한 목록은 아니며, 각 공급사의 등급과 공장은 직접 확인해야 합니다.

라사의 대만 제2공장은 언제부터 고객에게 공급하나요?

라사는 밝히지 않았습니다. 2028 회계연도 준공을 예정할 뿐, 생산능력과 고객 승인을 거친 공급 개시 시기는 공개하지 않았습니다. 반도체 재료는 승인에 시간이 걸리므로 준공과 승인된 공급 사이에 간격이 있을 것으로 보고, 공급사에 최신 일정을 문의하십시오.

사용한 고순도 인산을 재활용할 수 있나요?

라사가 추진 중입니다. 일본 경제산업성은 2023년 7월 일본 경제안전보장추진법에 따른 라사의 계획을 인정했으며, 연 960톤, 2027년 4월부터 공급 예정이고, 라사는 중기경영계획에도 재활용 실용화를 올려 두었습니다.

재활용 인산은 별도 평가가 필요하므로 따로 식별해 달라고 요청하십시오.

출처

• 새 공장, 이유, RTT 매출, 엔화 환율: 라사공업, 연결 자회사 신공장 관련 공시, 2026년 9월 30일(일본어)
• 매출, 공급 지도, 대만 증설, 반도체 관련 매출: 라사공업, 2026년 3월기 결산 설명 자료(일본어)
• SoulbrainRASA Co., Ltd., 의결권: 라사공업, 2026년 6월 제출 유가증권보고서(일본어)
• 제조 경로와 공업 등급 규격: 라사공업, 인산 제품 페이지(일본어)
• EL·EL-S 등급, 파티클 한계, 포장: 린카가쿠공업, 고순도 인산(일본어)
• 범위와 현행 개정판: SEMI, "SEMI C36 - Specification for Phosphoric Acid"
• 미량 금속 측정: Agilent 응용 노트, "Determination of Trace Metal Impurities in Semiconductor Grade Phosphoric Acid by High Sensitivity Reaction Cell ICP-MS"
• 매엽식 식각, 온도, 실리콘 제어: 시바우라메카트로닉스, SC300-HT 시리즈(일본어)
• 전공정 개요: SCREEN세미컨덕터솔루션즈, 반도체 제조 프로세스(일본어)
• 3D 낸드 질화막 제거: Entegris, "Considerations for Improving 3D NAND Performance, Reliability, and Yield"(2018)
• 100:1 초과 선택비, 실리카 거동, 온도와 불균일: Bassett, Printz, Furukawa(Tokyo Electron), 제228회 ECS 미팅 초록, 2015
• 165°C에서 30:1 선택비: Garnier 외(STMicroelectronics), 제228회 ECS 미팅 초록, 2015
• 새 배스와 사용한 배스의 선택비, 수분 보충: 미국 특허 6,699,400
• 실리콘 제어, 실리카 포화, 파티클: 미국 특허 8,834,671
• 새 인산 보충으로 실리콘 농도 복원: 미국 특허 8,409,997
• 실리콘 함량과 산화막 식각 속도, 콜로이드 실리카: 미국 특허 10,325,779
• 건식(열)·습식 제조 경로: The Essential Chemical Industry, "Phosphoric acid"; Wikipedia, "Phosphoric acid"
• 위험물 분류와 어는점: 인산 용액 안전 데이터 시트, 일리노이대학교; Glentham 데이터시트
• 텍사스 프로젝트: 텍사스 주지사실, 2026년 6월 4일; Area Development, 2026년 6월 11일
• 솔브레인라사 TX LLC의 소유 구조(한국 언론): thebell, 2025년 2월 3일
• OCI 공급과 생산능력: KED Global, "OCI supplies ultrapure phosphoric acid to SK Hynix," 2024년 9월 2일
• 소비지 공급 체제, 세계 점유율, IRDS 예: 미쓰비시가스화학, EL 약품 사업 설명회 자료, 2024년 10월 2일(일본어)
• IPA 공장: 도쿠야마, 뉴스 릴리스, 2026년 5월 20일(일본어)
• AUECC 인수: 스미토모화학, 뉴스 릴리스, 2025년 11월 20일(일본어)
• 재활용 계획: 경제산업성, 인정 공급 확보 계획 제16-1호 개요(일본어)
• 달러 환율: ValutaFX, 2026년 9월 30일 USD/TWD